[發(fā)明專利]用于制造有機電子器件的新方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380058401.6 | 申請日: | 2013-11-08 |
| 公開(公告)號: | CN104769734A | 公開(公告)日: | 2015-07-08 |
| 發(fā)明(設計)人: | 丹尼斯·菲舒;盧多維科·塔爾泰克;莫斯雷姆·阿拉丁 | 申請(專利權(quán))人: | 國家科學研究中心 |
| 主分類號: | H01L51/00 | 分類號: | H01L51/00;C07D309/34;H01L51/42;H01L51/50 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人: | 董科 |
| 地址: | 法國*** | 國省代碼: | 法國;FR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 制造 有機 電子器件 新方法 | ||
1.一種用于制造有機電子器件的方法,至少包括以下步驟:
(i)通過包括有至少一種如下通式(I)的化合物的薄膜,通過真空蒸發(fā)在基板上沉積:
其中:
-Xa和Xb是相同或不同的,選自N、P、O、S、Se或Te原子,
-R1,R2,R3和R4是相同或不同的,代表選自具有4到10個碳原子的芳基或雜芳基環(huán)的基團的組中的基團,其中所述芳基或雜芳基環(huán)能夠可選地被一個或多個鹵素原子或OH、CN、NO2基團,1-30個碳原子烷基,以及烷氧基-OCnH2n+1或酯-C(O)OCnH2n+1基團取代,其中0≤n≤16,
(ii)光敏活性層在惰性氣氛下的沉積,
(iii)可選地,在步驟(ii)沉積期間,光敏活性層在惰性氣氛下退火,
(iv)活性層在惰性氣氛下沉積用于激子的離解,所述層優(yōu)選基于氟化鋰(LIF),
(v)層作為陰極電極在惰性氣氛下沉積。
2.如權(quán)利要求1中所述的方法,其特征在于,在空氣除凈的情況下進行。
3.如權(quán)利要求1或2所述的方法,其中,如通式(I)中的化合物的Xa和Xb原子是相同的并且選自O、S或Se原子,并且優(yōu)選Xa=Xb=O。
4.如權(quán)利要求1至3中任意一項所述的方法,其中,通式(I)中化合物中的芳基或雜芳基環(huán)R1,R2,R3和R4,選自苯基、萘基、蒽基、苯并惡唑基、噻吩基或烷氧苯硫基、呋喃基、吡咯基、吡啶基、吡嗪基、吡唑基、噠嗪基、嘧啶基、三唑基、咪唑基、惡唑基、吲哚基、吲唑基、喹啉基和喹喔啉環(huán),并且優(yōu)選R1,R2,R3和R4是相同的并代表一個苯基。
5.如權(quán)利要求1至4中任意一項所述的方法,其中,步驟(i)中通過真空蒸發(fā)的沉積是在超高真空室中進行的。
6.如權(quán)利要求1至5中任意一項所述的方法,其中,步驟(i)中通過真空蒸發(fā)的沉積是在蒸發(fā)速率小于進行的,優(yōu)選小于或等于更優(yōu)選小于或等于
7.如權(quán)利要求1至6中任意一項所述的方法,其中,所述包含至少一種如通式(I)的化合物的薄膜厚度小于45nm,優(yōu)選小于或等于30nm,更優(yōu)選小于或等于15nm。
8.如權(quán)利要求1至7中任意一項所述的方法,其中,所述基板選自絕緣性基板,例如玻璃或聚合物,或?qū)щ娀?,如金屬氧化物?/p>
9.如權(quán)利要求1至8中任意一項所述的方法,其中,如通式(I)的化合物的來源與基板之間的距離在10到40cm之間,在步驟(i)中,優(yōu)選25-35cm之間。
10.如權(quán)利要求1至9中任意一項所述的方法,其中,在步驟(i)和(ii)之間具有導電中間層沉積的步驟,所述導電中間層優(yōu)選PEDOT:PSS層。
11.如權(quán)利要求1至10中任意一項所述的方法,其中,步驟(ii)的沉積是在置于氮或氬惰性氣氛中的手套式操作箱中進行的。
12.如權(quán)利要求1至11中任意一項所述的方法,其中,所述步驟(ii)中的沉積是通過旋轉(zhuǎn)涂覆實現(xiàn)的。
13.如權(quán)利要求1至12中任意一項所述的方法,其中,步驟(iii)的退火是在管式爐中,在30至150℃的溫度下進行的,時間為1分鐘到24小時之間。
14.如權(quán)利要求1至13中任意一項所述的方法,其中,步驟(iv)的沉積是通過干處理法實現(xiàn)的,優(yōu)選通過化學氣相沉積CVD,蒸發(fā)速率小于時進行,優(yōu)選小于或等于更優(yōu)選小于或等于
15.如權(quán)利要求1至14中任意一項所述的方法,其中,干處理法處理的沉積是在退火溫度在80和120℃之間,壓力在10-4和10-8毫巴之間,時間為2至4小時之間的情況下進行的。
16.如權(quán)利要求1至15中任意一項所述的方法,其中,步驟(v)的沉積是在超高真空室中進行的。
17.如權(quán)利要求1至16中任意一項所述的方法,其中,步驟(v)的沉積是通過干處理法以蒸發(fā)速率小于或等于進行的,優(yōu)選為之間。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





