[發(fā)明專利]光互連裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380058348.X
• 申請日: 2013-10-03
• 公開（公告）號: CN104813598A
• 公開（公告）日: 2015-07-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 梶山康一;名須川利通;金尾正康;石川晉
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社V技術(shù)
• 主分類號: H04B10/80
• 分類號: H04B10/80;H01L31/10;H01L31/12;H01L33/34;H04B10/114
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 呂琳;楊生平

1.一種光互連裝置，在層疊配置的多個(gè)半導(dǎo)體基板之間進(jìn)行光信號的發(fā)送接收，其特征在于，

配置于一個(gè)所述半導(dǎo)體基板的多個(gè)發(fā)光元件或受光元件具備將所述半導(dǎo)體基板作為共用的半導(dǎo)體層的pn結(jié)，

在不同的所述半導(dǎo)體基板之間進(jìn)行光信號的發(fā)送接收的一對所述發(fā)光元件和所述受光元件分別進(jìn)行共同波長下的發(fā)光和受光。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光互連裝置，其特征在于，

配置于一個(gè)所述半導(dǎo)體基板的多個(gè)發(fā)光元件中相互鄰接配置的發(fā)光元件進(jìn)行不同波長下的發(fā)光。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光互連裝置，其特征在于，

配置于一個(gè)所述半導(dǎo)體基板的多個(gè)受光元件中相互鄰接配置的受光元件進(jìn)行不同波長下的受光。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的光互連裝置，其特征在于，

所述共用的半導(dǎo)體層為n型Si層，通過在該n型Si層摻雜雜質(zhì)而形成p型半導(dǎo)體層，所述p型半導(dǎo)體層在與該n型Si層的邊界附近形成所述pn結(jié)，

所述發(fā)光元件或所述受光元件分別根據(jù)在通過退火處理使所述雜質(zhì)擴(kuò)散的過程中照射的光的波長來確定所述共同波長。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光互連裝置，其特征在于，

所述雜質(zhì)為選自IIIA族元素中的材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光互連裝置，其特征在于，

在配置于一對所述發(fā)光元件與所述受光元件之間的所述半導(dǎo)體基板上設(shè)置有使所述光信號透射的透光部，一對所述發(fā)光元件和所述受光元件在不同的所述半導(dǎo)體基板之間進(jìn)行光信號的發(fā)送接收。