[發(fā)明專利]制造含硅薄膜的方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201380058326.3
• 申請日: 2013-11-07
• 公開（公告）號: CN104769705A
• 公開（公告）日: 2015-07-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 韓元錫;高元勇
• 申請（專利權(quán)）人: UP化學(xué)株式會社
• 主分類號: H01L21/318
• 分類號: H01L21/318
• 代理公司: 上海勝康律師事務(wù)所 31263
• 代理人: 樊英如;李獻(xiàn)忠

1.一種用于形成含硅薄膜的方法，其包括：

使包括由化學(xué)式Si_nCl_2n+2(其中n是從3至10的整數(shù))表示的氯硅烷化合物的氣體和包括從由氮、氧、碳及它們的組合組成的群組中選擇的元素的反應(yīng)物氣體接觸包括具有1或更大的深寬比和1微米或1微米以下的寬度的至少一個溝槽的襯底。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于形成含硅薄膜的方法，

其中所述含硅薄膜的厚度是100nm或100nm以下。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于形成含硅薄膜的方法，

其中所述含硅薄膜的厚度是30nm或30nm以下。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于形成含硅薄膜的方法，

其中，將所述襯底保持在從環(huán)境溫度至800℃的溫度下。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于形成含硅薄膜的方法，

其中，將所述襯底保持在從環(huán)境溫度至560℃的溫度下。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于形成含硅薄膜的方法，

其中，將所述襯底保持在從280℃至520℃的溫度下。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于形成含硅薄膜的方法，

其中，將所述襯底保持在從300℃至450℃的溫度下。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于形成含硅薄膜的方法，

其中，所述反應(yīng)物氣體包括從由含氨(NH₃)氣體、含烷基胺氣體、含氧(O₂)氣體、含臭氧(O₃)氣體、含水(H₂O)蒸汽氣體及它們的組合組成的群組中選擇的成員。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于形成含硅薄膜的方法，

其中，使包括氯硅烷化合物的所述氣體和所述反應(yīng)物氣體交替地與所述襯底接觸。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于形成含硅薄膜的方法，

其中，所述含硅薄膜包括氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、或碳氮化硅薄膜。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于形成含硅薄膜的方法，

其中，所述氯硅烷化合物包括從由Si₃Cl₈、Si₄Cl₁₀和Si₅Cl₁₂組成的群組中選擇的成員。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的用于形成含硅薄膜的方法，

其中，所述反應(yīng)物氣體包括氨，而所述含硅薄膜包括氮化硅薄膜。