[發(fā)明專利]聚吡咯烷酮拋光組合物和方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380057978.5 | 申請日： | 2013-09-04 |
| 公開（公告）號： | CN104781365A | 公開（公告）日： | 2015-07-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | N.納古布桑特 | 申請（專利權(quán)）人： | 嘉柏微電子材料股份公司 |
| 主分類號： | C09K3/14 | 分類號： | C09K3/14;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人： | 宋莉;王華芹 |
| 地址： | 美國伊*** | 國省代碼： | 美國;US |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 吡咯烷酮 拋光 組合 方法 | ||
1.拋光組合物，其包含：
(a)0.01重量％至0.1重量％的吡咯烷酮聚合物；
(b)0.05重量％至2重量％的氨基膦酸；
(c)0.01重量％至5重量％的四烷基銨鹽；和
(d)水，
其中所述組合物具有7至11.7的pH。
2.權(quán)利要求1的拋光組合物，其進一步包含0.05重量％至2重量％的速率促進劑。
3.權(quán)利要求1的拋光組合物，其進一步包含0.01重量％至40重量％的二氧化硅顆粒。
4.權(quán)利要求1的拋光組合物，其中所述組合物不含研磨劑。
5.權(quán)利要求1的拋光組合物，其中所述組合物不含硅的氧化劑。
6.拋光組合物，其基本上由以下物質(zhì)組成：
(a)0.01重量％至0.1重量％的吡咯烷酮聚合物；
(b)0.05重量％至2重量％的氨基膦酸；
(c)0.01重量％至5重量％的四烷基銨鹽；
(d)任選的0.05重量％至2重量％的速率促進劑；
(e)任選的pH調(diào)節(jié)劑；
(f)任選的碳酸氫鹽；和
(g)水，
其中所述組合物具有7至11.7的pH。
7.權(quán)利要求6的拋光組合物，其中所述速率促進劑包括氧肟酸。
8.權(quán)利要求7的拋光組合物，其中所述速率促進劑包括乙酰氧肟酸。
9.權(quán)利要求6的拋光組合物，其中所述速率促進劑包括含氮雜環(huán)化合物。
10.權(quán)利要求9的拋光組合物，其中所述含氮雜環(huán)化合物包括三唑。
11.權(quán)利要求6的拋光組合物，其中所述吡咯烷酮聚合物包括聚乙烯基吡咯烷酮。
12.權(quán)利要求6的拋光組合物，其中所述吡咯烷酮聚合物包括聚(1-乙烯基吡咯烷酮-共-甲基丙烯酸2-二甲氨基乙酯)。
13.權(quán)利要求6的拋光組合物，其中所述氨基膦酸包括氨基三亞甲基膦酸。
14.權(quán)利要求6的拋光組合物，其中所述四烷基銨鹽包括氫氧化四甲基銨。
15.拋光基材的方法，所述方法包括：
(i)使基材與拋光墊和權(quán)利要求6的拋光組合物接觸；
(ii)使所述拋光墊相對于所述基材移動，其間具有所述拋光組合物；和
(iii)磨除所述基材的至少一部分以拋光所述基材。
16.權(quán)利要求15的方法，其中所述基材為硅晶片。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于嘉柏微電子材料股份公司，未經(jīng)嘉柏微電子材料股份公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201380057978.5/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：一種雙頭釘
- 下一篇：一種可自動調(diào)整錨固深度的塑料射釘栓
