[發明專利]用于高深寬比半導體器件結構的具有污染物去除的無黏附干燥工藝

在審

• 申請號: 201380057383.X
• 申請日: 2013-11-21
• 公開（公告）號: CN104919574A
• 公開（公告）日: 2015-09-16
• 發明（設計）人: 史蒂文·韋爾韋貝克;漢文·陳;羅曼·古科
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/302
• 分類號: H01L21/302
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

1.一種清潔基板的方法，所述方法包含以下步驟：

使基板暴露于溶劑，以去除位于所述基板的表面上的一數量的殘余清潔溶液，其中所述基板上形成有高深寬比的特征；

在使基板暴露于所述溶劑之后，使所述基板暴露于超臨界流體，以去除位于所述基板的所述表面上的溶劑；以及

在使基板暴露于所述超臨界流體之后，使所述基板暴露于等離子體。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述殘余清潔溶液包含去離子水。

3.如權利要求1所述的方法，其中所述溶劑包含非極性溶劑。

4.如權利要求3所述的方法，其中所述溶劑選自于由丙酮、異丙醇、乙醇及甲醇所組成的群組。

5.如權利要求1所述的方法，其中所述溶劑包含極性溶劑。

6.如權利要求1所述的方法，其中使所述基板暴露于所述超臨界流體的步驟進一步包含以下步驟：

使氣體轉變到超臨界態，以形成所述超臨界流體；

使所述超臨界流體流過所述基板的表面；以及

使所述超臨界流體轉變到氣態。

7.如權利要求6所述的方法，其中所述氣體包含CO₂。

8.如權利要求6所述的方法，其中使所述超臨界流體流過所述基板的所述表面的步驟包含以下步驟：以一流率輸送超臨界CO₂，所述流率能夠從所述基板的所述表面去除顆粒和殘余物。

9.如權利要求6所述的方法，其中所述氣體包含C₃H₈。

10.如權利要求6所述的方法，其中使所述超臨界流體轉變到所述氣態的步驟進一步包含以下步驟：等溫減壓包含超臨界CO₂的所述超臨界流體。

11.如權利要求1所述的方法，其中使所述基板暴露于等離子體的步驟包含以下步驟：使所述基板暴露于包含氧的等離子體。

12.如權利要求1所述的方法，其中所述清潔基板的方法進一步包含以下步驟：

在濕式清潔腔室中使所述基板的所述表面暴露于所述殘余清潔溶液，及其中：

所述使基板暴露于溶劑的步驟包含以下步驟：在溶劑交換腔室中使所述基板的所述表面暴露于兩種或多種溶劑，

所述使所述基板暴露于超臨界流體的步驟包含以下步驟：在超臨界流體腔室中使所述基板的所述表面暴露于所述超臨界流體并去除位于所述基板的所述表面上的溶劑，

所述使所述基板暴露于等離子體的步驟包含以下步驟：在等離子體腔室中使所述基板的所述表面暴露于所述等離子體；以及

在所述濕式清潔腔室、溶劑交換腔室、超臨界流體腔室及等離子體腔室之間通過傳送腔室依序傳送所述基板。

13.如權利要求12所述的方法，其中所述濕式清潔腔室、溶劑交換腔室、超臨界流體腔室及等離子體腔室耦接至所述傳送腔室。