[發明專利]具有可光圖案化的軟性突出接觸表面的靜電夾盤有效
| 申請號: | 201380057372.1 | 申請日: | 2013-10-29 |
| 公開(公告)號: | CN104904003A | 公開(公告)日: | 2015-09-09 |
| 發明(設計)人: | 林奕寬;理查·A·庫克;雅各·萊辛斯基 | 申請(專利權)人: | 恩特格林斯公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 許靜;黃燦 |
| 地址: | 美國馬*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 圖案 軟性 突出 接觸 表面 靜電 | ||
1.一種靜電夾盤,其包含:
表面層,其通過電極中的電壓活化以形成電荷以將基板以靜電方式夾持至該靜電夾盤,該表面層包括包含可光圖案化的聚合物的多個突出及該多個聚合物突出所黏附的電荷控制層,該多個聚合物突出延伸至在該電荷控制層的包圍該多個聚合物突出的部分上方的高度以在該基板的靜電夾持期間將該基板支撐于該多個聚合物突出上。
2.如權利要求1的靜電夾盤,其中該可光圖案化的聚合物包含在烘烤前在室溫下為液體的可光圖案化的聚合物。
3.如權利要求1的靜電夾盤,其中該可光圖案化的聚合物包含在烘烤前在室溫下為固體的可光圖案化的聚合物。
4.如權利要求1的靜電夾盤,其中該可光圖案化的聚合物包含以環氧樹脂為基礎的可光圖案化的聚合物。
5.如權利要求1的靜電夾盤,其中該可光圖案化的聚合物包含以聚酰亞胺為基礎的可光圖案化的聚合物或以苯并環丁烯為基礎的可光圖案化的聚合物中的至少一個。
6.如權利要求1的靜電夾盤,其中該電荷控制層包含碳化硅。
7.如權利要求1的靜電夾盤,其中該電荷控制層包含類鉆碳。
8.如權利要求1的靜電夾盤,其中該電荷控制層包含介于每平方約108奧姆至每平方約1011奧姆之間的表面電阻率。
9.如權利要求1的靜電夾盤,其中該等聚合物突出包含介于約3微米與約12微米之間的高度。
10.如權利要求1的靜電夾盤,其中該等聚合物突出包含約900微米的直徑。
11.如權利要求1的靜電夾盤,其進一步包含氣體密封環,該氣體密封環包含可光圖案化的聚合物。
12.如權利要求11的靜電夾盤,其中該氣體密封環包含以環氧樹脂為基礎的可光圖案化的聚合物、以苯并環丁烯為基礎的可光圖案化的聚合物及以聚酰亞胺為基礎的可光圖案化的聚合物中的至少一個。
13.如權利要求1的靜電夾盤,其中該多個聚合物突出包含介于約0.02μm與約0.05μm之間的表面粗糙度。
14.如權利要求1的靜電夾盤,其中該可光圖案化的聚合物包含具有大于約70兆帕斯卡(MPa)的拉伸強度的材料。
15.如權利要求1的靜電夾盤,其中該可光圖案化的聚合物包含具有小于約3.5千兆帕斯卡(GPa)的楊氏模數的材料。
16.如權利要求1的靜電夾盤,其進一步包含傳導路徑,該傳導路徑覆蓋該靜電夾盤的氣體密封環的工件接觸表面的至少一部分,該傳導路徑包含至接地的電路徑的至少一部分。
17.如權利要求16的靜電夾盤,其中該傳導路徑包含類鉆碳。
18.如權利要求16的靜電夾盤,其中該可光圖案化的聚合物包含在烘烤前在室溫下為液體的可光圖案化的聚合物,且其中該電荷控制層包含介于每平方約108奧姆至每平方約1011奧姆之間的表面電阻率。
19.一種靜電夾盤,其包含:
表面層,其通過電極中的一電壓活化以形成電荷以將基板以靜電方式夾持至該靜電夾盤,該表面層包括包含傳導性聚合物的多個突出及該多個聚合物突出所黏附的電荷控制層,該多個聚合物突出延伸至在該電荷控制層的包圍該多個聚合物突出的部分上方的高度以在該基板的靜電夾持期間將該基板支撐于該多個聚合物突出上。
20.如權利要求19的靜電夾盤,其中該傳導性聚合物包含來自由以下各個組成的群的聚合物:碳奈米管與聚合物的摻合物;及摻雜有傳導性奈米粒子的聚合物。
21.一種制造靜電夾盤的方法,該方法包含:
經由光罩使該靜電夾盤的表面上的可光圖案化的聚合物曝露至光,該靜電夾盤包含在該可光圖案化的聚合物的至少一部分下面的電荷控制層;及
基于該表面經由該光罩至該光的曝光圖案而移除該靜電夾盤的該表面的區域,通過在該靜電夾盤的該表面上形成多個聚合物突出,該多個聚合物突出所黏附該電荷控制層且延伸至在該電荷控制層的包圍該多個聚合物突出的部分上方的高度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





