[發(fā)明專利]用于襯底材料的倒圓的對(duì)準(zhǔn)柱

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201380057209.5
• 申請(qǐng)日: 2013-01-28
• 公開（公告）號(hào): CN104769703A
• 公開（公告）日: 2015-07-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 保羅·凱斯勒·羅森伯格;邁克爾·瑞恩·泰·譚;沙吉·馬塔伊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 惠普發(fā)展公司;有限責(zé)任合伙企業(yè)
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;H01L21/027
• 代理公司: 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 齊葵;周艷玲

1.一種方法，包括：

生長(zhǎng)包括集成電路的襯底材料；

在所述襯底材料上形成對(duì)準(zhǔn)柱；和

在所述對(duì)準(zhǔn)柱上形成倒圓的頂部，以使連接器能夠?qū)?zhǔn)所述襯底材料。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括在所述對(duì)準(zhǔn)柱上施加液體聚合物以形成所述倒圓的頂部。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括在所述對(duì)準(zhǔn)柱上施加如同液體或固體的焊料以形成所述倒圓的頂部。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括刻蝕所述襯底材料以形成所述對(duì)準(zhǔn)柱。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，進(jìn)一步包括利用深反應(yīng)離子刻蝕(DRIE)以刻蝕所述襯底材料，從而形成所述對(duì)準(zhǔn)柱。

6.如權(quán)利要求4所述的方法，進(jìn)一步包括電鍍所述襯底材料以形成所述對(duì)準(zhǔn)柱。

7.如權(quán)利要求4所述的方法，進(jìn)一步包括對(duì)所述襯底材料施加環(huán)氧樹脂以形成所述對(duì)準(zhǔn)柱。

8.如權(quán)利要求7所述的方法，進(jìn)一步包括通過光刻工藝成形所述環(huán)氧樹脂。

9.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括在所述襯底材料中形成腔，以允許光穿過所述腔。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，進(jìn)一步包括將所述襯底材料通過所述對(duì)準(zhǔn)柱對(duì)準(zhǔn)光學(xué)透明的襯底材料，其中光信號(hào)能夠通過所述光學(xué)透明的襯底材料被傳輸至在所述襯底材料的任意一側(cè)上的部件。

11.一種裝置，包括：

第一襯底材料，該第一襯底材料包括分立形式或集成形式的電子和光學(xué)部件；和

對(duì)準(zhǔn)柱，包括形成在所述襯底材料上的圓柱形部分，所述對(duì)準(zhǔn)柱包括形成在所述圓柱形部分上的倒圓的頂部，其中所述對(duì)準(zhǔn)柱的所述倒圓的頂部提供用于將連接器適配至所述襯底材料的對(duì)準(zhǔn)引導(dǎo)。

12.如權(quán)利要求11所述的裝置，進(jìn)一步包括結(jié)合至所述第一襯底材料的光學(xué)透明的襯底，其中在所述第一襯底材料中形成腔，以允許光穿過所述第一襯底材料。

13.如權(quán)利要求12所述的裝置，其中所述對(duì)準(zhǔn)柱將所述光學(xué)透明的襯底上的透鏡與所述連接器中的光波導(dǎo)對(duì)準(zhǔn)。

14.如權(quán)利要求13所述的裝置，其中所述對(duì)準(zhǔn)柱通過刻蝕工藝、電鍍工藝或者聚合物擴(kuò)展光刻工藝形成。

15.一種裝置，包括：

第一硅襯底材料，該第一硅襯底材料包括集成的或分立的電子部件和電路，所述硅襯底材料具有形成在其中的腔，以允許光從光學(xué)連接器穿過所述襯底材料；

結(jié)合至所述第一硅襯底材料的光學(xué)透明的襯底材料，其中所述光學(xué)透明的襯底材料提供透鏡，以接收從所述光學(xué)連接器穿過所述第一襯底材料的光；和

多個(gè)對(duì)準(zhǔn)柱，每個(gè)對(duì)準(zhǔn)柱包括形成在所述第一硅襯底材料上的圓柱形部分，每個(gè)對(duì)準(zhǔn)柱包括形成在各自圓柱形部分上的倒圓的頂部，其中所述對(duì)準(zhǔn)柱的所述倒圓的頂部提供用于將所述連接器適配至所述第一硅襯底材料和所述光學(xué)透明的襯底材料的對(duì)準(zhǔn)。