[發明專利]光電子半導體構件有效
| 申請號： | 201380057054.5 | 申請日： | 2013-08-28 |
| 公開（公告）號： | CN104737314B | 公開（公告）日： | 2017-05-17 |
| 發明（設計）人： | S.伊萊克;M.薩巴蒂爾;T.施瓦茨;W.維格萊特 | 申請（專利權）人： | 奧斯蘭姆奧普托半導體有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L33/62 | 分類號： | H01L33/62 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 盧江,劉春元 |
| 地址： | 德國雷*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 光電子 半導體 構件 | ||
1.光電子半導體構件（10，20，30，40），所述光電子半導體構件具有光電子半導體芯片（100，300，500），
其中所述半導體芯片（100，300，500）嵌入到具有上側（191，231，391，591）和下側（192，232，392，592）的電絕緣的模制體（190，230，390，590）中，
其中通孔接觸部（170，370，380，570）嵌入到所述模制體（190，230，390，590）中，所述通孔接觸部形成所述模制體（190，230，390，590）的上側（191，231，391，591）和下側（192，232，392，592）之間的導電連接，
其中在所述模制體（190，230，390，590）的上側（191，231，391，591）上布置有反射層（210，250，410，610），
其中所述反射層（210，410，610）的第一部段（212，412，413，414，612）與所述反射層（210，410，610）的第二部段（211，411，611）電絕緣，
所述第一部段（212，412，413，414，612）形成所述半導體芯片（100，300，500）的電接觸部（141，321，341，521）和所述通孔接觸部（170，370，380，570）之間的導電連接，
其中在所述半導體芯片（100，300，500）的電接觸部（141，321，341，521）和所述通孔接觸部（170，370，380，570）之間的導電連接的區域中，在所述模制體（190，390，590）的上側（191，391，591）和所述反射層（210，410，610）之間布置有電介質（200，400，600），
其中所述反射層（210，250，410，610）覆蓋所述模制體（190，230，390，590）的上側（191，231，391，591）的至少50%，
其中所述光電子半導體構件（10，20，30，40）的電接觸面（121，172，372，382，541，572）在所述模制體（190，230，390，590）的下側（192，232，392，592）上是可接近的。
2.根據權利要求1所述的光電子半導體構件（10，20，30，40），
其中所述半導體芯片（100，300，500）的上側（161，361，561）與所述模制體（190，230，390，590）的上側（191，231，391，591）以相同的方向定向，
其中所述半導體芯片（100，300，500）的上側（161，361，561）是所述半導體芯片（100，300，500）的輻射出射面，
其中所述半導體芯片（100，300，500）的上側（161，361，561）的至少一部分既不通過所述模制體（190，230，390，590）、又不通過所述反射層（210，250，410，610）覆蓋。
3.根據權利要求1或2所述的光電子半導體構件（10，30，40），
其中所述電介質（200，400，600）具有苯并環丁烯。
4.根據權利要求1或2所述的光電子半導體構件（10，30，40），
其中所述電介質（200，400，600）具有在50nm和500nm之間的厚度。
5.根據權利要求1或2所述的光電子半導體構件（10，20，30，40），
其中所述反射層（210，250，410，610）具有銀或鋁。
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