[發(fā)明專利]切割片用基材膜及切割片

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380057050.7
• 申請日: 2013-10-09
• 公開（公告）號: CN104756237A
• 公開（公告）日: 2015-07-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 田矢直紀(jì);上田公史;伊藤雅春
• 申請（專利權(quán)）人: 琳得科株式會社
• 主分類號: H01L21/301
• 分類號: H01L21/301
• 代理公司: 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 謝順星;張晶

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及在將半導(dǎo)體晶片等被切斷物切斷分離成元件小片時，貼附在該被切斷物上的切割片、及用于該切割片的基材膜。

背景技術(shù)

硅、砷化鎵等半導(dǎo)體晶片及各種封裝類(以下將它們統(tǒng)稱為“被切斷物”)，以大直徑狀態(tài)制造，并被切斷分離(切割步驟)成元件小片(以下稱為“芯片”)。

交付于該切割(dicing)步驟的被切斷物，以確保切割(dicing)步驟及其以后的步驟中被切斷物及芯片的操作性為目的，具備有基材膜以及設(shè)于其上的粘著劑層的切割片，預(yù)先貼附于與接近切斷用的切削工具一側(cè)相反側(cè)的被切斷物表面。這樣的切割片通常使用聚烯烴類膜或聚氯乙烯類膜等為基材膜。

作為切割步驟的具體技巧，在一般的全切割(full-cut?dicing)中，以旋轉(zhuǎn)的圓刀進(jìn)行被切斷物的切割。在全切割(full-cut?dicing)中，為使貼附切割片的被切斷物全面被切實地切斷，有時超過被切斷物將粘著劑層也切斷，或者有時將部分基材膜也切斷。

此時，自切割片產(chǎn)生由構(gòu)成粘著劑層及基材膜的材料所形成的切割屑，有時所得到的芯片因該切割屑而被污染。此種切割屑的型態(tài)的一，有附著在切割線、或因切割而分離的芯片截面附近的線狀的切割屑。

若在芯片上大量附著如上所述的線狀的切割屑而進(jìn)行芯片的密封，則附著于芯片的線狀切割屑因密封熱而分解，該熱分解物會破壞封裝，從而形成所得到的器件運作不良的原因。由于該線狀的切割屑難以經(jīng)由清洗而去除，因此因線狀切割屑的產(chǎn)生使得切割步驟的產(chǎn)率顯著下降。

另外，以固化的樹脂密封多個芯片而成的封裝作為被切斷物進(jìn)行切割的情況下，與切割半導(dǎo)體晶片時相比，使用刀刃寬度較厚的切割刀，同時切割的切入深度也更深。因此，在切割時被切斷除去的基材膜的量與半導(dǎo)體晶片的情況相比有所增加，線狀切割屑的產(chǎn)生量也有增加的傾向。因此，使用切割片進(jìn)行切割制造半導(dǎo)體封裝的情況下，需要進(jìn)一步防止線狀切割屑的產(chǎn)生。

切割步驟后所切斷的被切斷物，其后實施清洗、擴(kuò)展(expanding)步驟、拾取(pick?up)步驟的各步驟。因此，進(jìn)一步要求切割片在擴(kuò)展(expanding)步驟中的擴(kuò)張性優(yōu)異。

以抑制產(chǎn)生這樣的切割屑為目的，專利文獻(xiàn)1揭示了使用照射1～80Mrad電子束或γ(gamma)線的聚烯烴類膜為切割片的基材膜的發(fā)明。在該發(fā)明中，認(rèn)為經(jīng)過電子束或γ線照射，構(gòu)成基材膜的樹脂發(fā)生交聯(lián)，從而抑制切割屑的產(chǎn)生。

在專利文獻(xiàn)1中，作為照射電子束或γ線的聚烯烴類膜，可以例示聚乙烯、聚丙烯、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-離聚物(ionomer)共聚物、乙烯-乙烯醇共聚物、聚丁烯等樹脂。

在專利文獻(xiàn)2中，揭示了一種半導(dǎo)體切割用粘接待，其特征在于，在于基材膜的一個側(cè)面涂布粘著劑而成的半導(dǎo)體切割加工用帶上，上述基材膜至少由2層構(gòu)成，上述基材膜的與粘著層相接的層的樹脂融點為130℃～240℃，相對于至少1層與上述粘著劑層相接的層的下面相接的、100質(zhì)量份聚丙烯類樹脂，苯乙烯-丁二烯共聚物的氫加成物為2～400質(zhì)量份。

在專利文獻(xiàn)3中，作為賦予擴(kuò)展(expanding)步驟中的擴(kuò)張性的膜，揭示了一種在含有無規(guī)丙烯與烯烴類彈性體的基材層上，層積了粘著劑層的切割膜。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開平5-211234號公報

專利文獻(xiàn)2：日本特開2005-174963號公報

專利文獻(xiàn)3：日本特開2011-216595號公報

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題

然而，專利文獻(xiàn)1中所記載的膜在將如上所述樹脂一次成型為膜狀后照射電子束或γ線，因此增加了一個制造步驟，制造成本較一般基材膜有增加的傾向。專利文獻(xiàn)2的基材膜不能充分防止線狀切割屑的產(chǎn)生。專利文獻(xiàn)3中所記載的切割膜，擴(kuò)展(expanding)性雖然優(yōu)異，但是不能充分防止線狀切割屑的產(chǎn)生。

本發(fā)明是鑒于上述狀況所完成的，目的是提供一種無需施以電子束或γ線等物理能量，可抑制被切斷物切割時所產(chǎn)生的切割屑、特別是線狀切割屑的產(chǎn)生，在擴(kuò)展(expanding)步驟中具有充分的擴(kuò)張性(擴(kuò)展性)的切割片用基材膜及具備該切割片用基材膜的切割片。

解決技術(shù)問題的技術(shù)手段