[發(fā)明專利]化學(xué)增幅型抗蝕劑膜的圖案化用有機(jī)系處理液、化學(xué)增幅型抗蝕劑膜的圖案化用有機(jī)系處理液的收容容器、以及使用其的圖案形成方法、電子元件的制造方法及電子元件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201380056879.5
• 申請(qǐng)日: 2013-10-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104756014A
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-07-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 山中司;川本崇司
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 富士膠片株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): G03F7/32
• 分類(lèi)號(hào): G03F7/32;B65D81/24;G03F7/30;H01L21/027;G03F7/038;G03F7/039
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 楊貝貝;臧建明

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種化學(xué)增幅型抗蝕劑膜的圖案化用有機(jī)系處理液、化學(xué)增幅型抗蝕劑膜的圖案化用有機(jī)系處理液的收容容器、以及使用其的圖案形成方法、電子元件的制造方法及電子元件。更詳細(xì)而言，本發(fā)明涉及一種適合于集成電路(Integrated?Circuit，IC)等的半導(dǎo)體制造工序、液晶及熱能頭(thermal?head)等電路基板的制造、進(jìn)而其他感光蝕刻加工(photofabrication)的微影(lithography)工序的化學(xué)增幅型抗蝕劑膜的圖案化用有機(jī)系處理液、化學(xué)增幅型抗蝕劑膜的圖案化用有機(jī)系處理液的收容容器、以及使用其的圖案形成方法、電子元件的制造方法及電子元件。本發(fā)明尤其涉及一種適于以波長(zhǎng)為300nm以下的遠(yuǎn)紫外線光作為光源的ArF曝光裝置及ArF液浸式投影曝光裝置的曝光的化學(xué)增幅型抗蝕劑膜的圖案化用有機(jī)系處理液、化學(xué)增幅型抗蝕劑膜的圖案化用有機(jī)系處理液的收容容器、以及使用其的圖案形成方法、電子元件的制造方法及電子元件。

背景技術(shù)

從前，作為使用堿性顯影液的正型圖案形成方法及其中所用的正型抗蝕劑組合物，已提出了各種構(gòu)成(例如參照專利文獻(xiàn)1～專利文獻(xiàn)3)。除此以外，近年來(lái)，以正型抗蝕劑組合物無(wú)法達(dá)成的微細(xì)接觸孔(contact?hole)或溝槽(trench)圖案形成作為主要用途，正在不斷地開(kāi)發(fā)使用有機(jī)系顯影液的負(fù)型圖案形成方法及其中所用的負(fù)型抗蝕劑組合物(例如參照專利文獻(xiàn)4～專利文獻(xiàn)7)。

上述負(fù)型圖案形成方法中使用的有機(jī)系顯影液是以與一直以來(lái)在電子工業(yè)中使用的有機(jī)溶劑(稀釋劑(thinner)或剝離液)同樣的供給形態(tài)而提供。

此處，對(duì)于電子工業(yè)用化學(xué)溶液的供給容器而言，要求在保存及運(yùn)輸過(guò)程中不會(huì)因雜質(zhì)微粒子的增加、成分的變質(zhì)、組成的量變、雜質(zhì)金屬元素的增加、或光引起的感光成分的變質(zhì)而導(dǎo)致品質(zhì)降低。

作為滿足這些要求的容器，例如已知有聚四氟乙烯制或聚烯烴系高純度樹(shù)脂性容器(參照專利文獻(xiàn)8及專利文獻(xiàn)9)，就成本的觀點(diǎn)而言，廣泛使用聚烯烴系高純度樹(shù)脂性容器。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本專利特開(kāi)2006-257078號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)2：日本專利特開(kāi)2005-266766號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)3：日本專利特開(kāi)2006-330098號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)4：日本專利特開(kāi)2007-325915號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)5：國(guó)際公開(kāi)2008-153110號(hào)手冊(cè)

專利文獻(xiàn)6：日本專利特開(kāi)2010-039146號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)7：日本專利特開(kāi)2010-164958號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)8：日本專利特公平6-99000號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)9：日本專利第3929000號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的課題

另外，近年來(lái)在接觸孔或溝槽圖案的形成中，進(jìn)一步微細(xì)化(例如30nm節(jié)點(diǎn)(node)以下)的需求(needs)急劇高漲。針對(duì)該需求，尤其要求進(jìn)一步抑制容易對(duì)微細(xì)化圖案的性能造成影響的微粒(particle)的產(chǎn)生。

本發(fā)明是鑒于上述問(wèn)題而成，其目的在于提供一種化學(xué)增幅型抗蝕劑膜的圖案化用有機(jī)系處理液、化學(xué)增幅型抗蝕劑膜的圖案化用有機(jī)系處理液的收容容器、以及使用其的圖案形成方法、電子元件的制造方法及電子元件，上述化學(xué)增幅型抗蝕劑膜的圖案化用有機(jī)系處理液尤其在使用有機(jī)系顯影液來(lái)形成微細(xì)化(例如30nm節(jié)點(diǎn)以下)圖案的負(fù)型圖案形成方法中，可減少微粒的產(chǎn)生。

解決問(wèn)題的技術(shù)手段

鑒于上述問(wèn)題，本發(fā)明人等人對(duì)收容有機(jī)系顯影液的容器進(jìn)行了詳細(xì)研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，聚烯烴系高純度樹(shù)脂性容器所代表的通用容器中收容的有機(jī)系顯影液成為上述微粒的產(chǎn)生原因。而且，本發(fā)明人等人發(fā)現(xiàn)，通過(guò)收容在特定容器中的有機(jī)系顯影液中特定種類(lèi)的雜質(zhì)的濃度受到抑制，進(jìn)而使用該有機(jī)系顯影液，可在微細(xì)化(例如30nm節(jié)點(diǎn)以下)圖案中減少容易被視為問(wèn)題的微粒的產(chǎn)生，從而完成了本發(fā)明。

即，本發(fā)明為下述構(gòu)成，由此來(lái)達(dá)成本發(fā)明的上述目的。

[1]一種化學(xué)增幅型抗蝕劑膜的圖案化用有機(jī)系處理液，其中碳數(shù)22以下的烷基烯烴(alkyl?olefin)含量為1ppm以下，且鈉(Na)、鉀(K)、鈣(Ca)、鐵(Fe)、銅(Cu)、鎂(Mg)、錳(Mn)、鋰(Li)、鋁(Al)、鉻(Cr)、鎳(Ni)及鋅(Zn)的金屬元素濃度均為5ppm以下。