[發(fā)明專利]含有非金屬催化劑的低K介電溶膠的組合物在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380056715.2 | 申請日: | 2013-10-31 |
| 公開(公告)號: | CN104823265A | 公開(公告)日: | 2015-08-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 馬克·L.F.·菲利普斯;特拉維斯·薩維奇 | 申請(專利權(quán))人: | SBA材料有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/208 | 分類號: | H01L21/208 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290 | 代理人: | 洪俊梅;張淑珍 |
| 地址: | 美國新*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 含有 非金屬 催化劑 溶膠 組合 | ||
1.一種用于生產(chǎn)多孔低k介電材料的溶膠組合物,其包含:
至少一種硅酸酯,
極性溶劑,
水,
用于硅酸酯水解的酸催化劑,
兩親性嵌段共聚物表面活性劑,以及
降低所述所生產(chǎn)的材料的介電常數(shù)的非金屬催化劑。
2.如權(quán)利要求1所述的組合物,其進(jìn)一步包含百萬分率濃度低于所述非金屬催化劑的金屬離子。
3.如權(quán)利要求1所述的組合物,其進(jìn)一步包含共溶劑。
4.如權(quán)利要求1所述的組合物,其中所述非金屬催化劑包含選自由B、C、N、O、H、Si、P以及其組合組成的群組的構(gòu)成原子。
5.如權(quán)利要求4所述的組合物,其中所述非金屬催化劑包含:與陰離子基團(tuán)組合的季銨離子;或叔胺氧化物。
6.如權(quán)利要求5所述的組合物,其中所述與陰離子基團(tuán)組合的季銨離子是甘氨酸、甜菜堿、精氨酸、賽氨林、1,3-二甲基咪唑2-羧酸鹽或煙酸,并且所述叔胺氧化物是三甲胺N-氧化物(TMANO)、吡啶N-氧化物、4-氨基吡啶N-氧化物、喹啉N-氧化物或DABCO-DNODP。
7.如權(quán)利要求4所述的組合物,其中所述非金屬催化劑包含:包含明顯偶極子的中性分子;或包含鍵結(jié)至拉電子原子或基團(tuán)的氮的中性分子。
8.如權(quán)利要求7所述的組合物,其中所述包含明顯偶極子的中性分子是4-硝基苯胺、4-氨基苯甲腈、4-吡啶甲腈或米氏酮,并且所述包含鍵結(jié)至拉電子原子或基團(tuán)的氮的中性分子是NH2CN(氰胺)、N(CN)2-(二氰胺)陰離子的鹽、二硝酰胺銨(ADN)或氯胺-T。
9.如權(quán)利要求1所述的組合物,其中所述非金屬催化劑包含陽離子。
10.如權(quán)利要求9所述的組合物,其中所述陽離子是穩(wěn)定的碳陽離子。
11.如權(quán)利要求10所述的組合物,其中所述穩(wěn)定的碳陽離子是結(jié)晶紫或孔雀石綠。
12.如權(quán)利要求1所述的組合物,其中所述非金屬催化劑包含兩性離子。
13.如權(quán)利要求12所述的組合物,其中所述兩性離子是1,3二甲基咪唑-2-羧酸鹽、甘氨酸甜菜堿、賽氨林、精氨酸或雷氏染料。
14.如權(quán)利要求1所述的組合物,其中所述非金屬催化劑到至少130℃為止是穩(wěn)定的。
15.如權(quán)利要求1所述的組合物,其中所述非金屬催化劑的濃度介于1ppm至20,000ppm之間,或介于10ppm至2,000ppm之間。
16.如權(quán)利要求1所述的組合物,其中所述非金屬催化劑在≥80℃的溫度下在水和/或醇中是穩(wěn)定的。
17.如權(quán)利要求1所述的組合物,其中所述非金屬催化劑在有機(jī)硅酸酯存在下在溶液中是穩(wěn)定的。
18.如權(quán)利要求1所述的組合物,其中所述至少一種硅酸酯是正硅酸四乙酯,所述極性溶劑是C1-4醇,并且所述兩親性嵌段共聚物表面活性劑是聚(氧化乙烯)-聚(氧化丙烯)-聚(氧化乙烯)聚合物。
19.如權(quán)利要求1所述的組合物,其中所述至少一種硅酸酯是:雙(三乙氧基硅烷基)乙烷;1,1,2-三(三乙氧基硅烷基)乙烷;三(三乙氧基硅烷基)甲烷;TEOS;MTES;MBTE;或苯基三乙氧基硅烷(PTES);或其組合。
20.一種在基板上制備薄膜的方法,其包括
通過將如權(quán)利要求1所述的溶膠組合物沉積至基板上來處理所述基板;烘烤并退火所述經(jīng)過處理的基板以形成膜。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





