[發明專利]半導體設備、顯示單元以及電子裝置有效
| 申請號： | 201380056546.2 | 申請日： | 2013-10-10 |
| 公開（公告）號： | CN104756253A | 公開（公告）日： | 2015-07-01 |
| 發明（設計）人： | 諸沢成浩;佐藤步 | 申請（專利權）人： | 索尼公司 |
| 主分類號： | H01L27/12 | 分類號： | H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人： | 田喜慶;吳孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體設備 顯示 單元 以及 電子 裝置 | ||
1.一種半導體設備，包括：
晶體管；
電容器；以及
氧化物半導體膜，由所述晶體管和所述電容器共享，
其中，所述電容器包括與所述氧化物半導體膜相接觸的含氫膜。
2.根據權利要求1所述的半導體設備，其中，所述晶體管包括：
柵極電極，與所述氧化物半導體膜的溝道區域相對，并且柵極絕緣膜介于所述柵極電極與所述氧化物半導體膜的溝道區域之間；
以及
一對低電阻區域，設置為鄰近于所述氧化物半導體膜的溝道區域。
3.根據權利要求2所述的半導體設備，其中，所述晶體管包括電連接至所述氧化物半導體膜的所述低電阻區域的源極-漏極電極。
4.根據權利要求3所述的半導體設備，其中，所述電容器包括設置在所述氧化物半導體膜與電容器電極之間的電容器絕緣膜。
5.根據權利要求4所述的半導體設備，其中，
所述晶體管和所述電容器被設置在基板上，
所述晶體管從所述基板依次包括所述氧化物半導體膜、所述柵極絕緣膜以及所述柵極電極，以及
所述電容器從所述基板依次包括所述含氫膜、所述氧化物半導體膜、所述電容器絕緣膜以及所述電容器電極。
6.根據權利要求4所述的半導體設備，其中，所述含氫膜在平面圖中在所述電容器電極周圍延伸。
7.根據權利要求1所述的半導體設備，其中，沿著所述晶體管的溝道長度方向布置所述電容器。
8.根據權利要求1所述的半導體設備，其中，所述含氫膜包含硅。
9.根據權利要求1所述的半導體設備，其中，所述含氫膜包括氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜以及非晶硅膜中的一種。
10.根據權利要求2所述的半導體設備，進一步包括與所述氧化物半導體膜的所述低電阻區域相接觸的高電阻膜。
11.根據權利要求10所述的半導體設備，其中，所述高電阻膜包含金屬氧化物。
12.一種半導體設備，包括：
電容器，包括與氧化物半導體膜相接觸的含氫膜。
13.一種顯示單元，設置有多個顯示元件和被配置為驅動所述多個顯示元件的半導體設備，所述半導體設備包括：
晶體管；
電容器；以及
氧化物半導體膜，由所述晶體管和所述電容器共享，
其中，所述電容器包括與所述氧化物半導體膜相接觸的含氫膜。
14.一種電子裝置，具有顯示單元，所述顯示單元設置有多個顯示元件和被配置為驅動所述多個顯示元件的半導體設備，所述半導體設備包括：
晶體管；
電容器；以及
氧化物半導體膜，由所述晶體管和所述電容器共享，
其中，所述電容器包括與所述氧化物半導體膜相接觸的含氫膜。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
