[發明專利]帶有溫度調節布置的加工布置和加工基底的方法

在審

• 申請號: 201380056240.7
• 申請日: 2013-08-22
• 公開（公告）號: CN104995727A
• 公開（公告）日: 2015-10-21
• 發明（設計）人: H.羅爾曼恩;M.克拉特澤
• 申請（專利權）人: 歐瑞康先進科技股份公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 劉林華;譚祐祥

1.?一種表現為溫度調節布置的基底加工布置，其包括帶有兩個反射表面的熱空腔，所述熱空腔基本包括：

基座(19)，其帶有延伸的、基本平面表面；

基本平面的加熱元件(15)，其在平行且遠離并面對所述基座(19)的表面的平面中安裝在所述基座(19)上方；

基底支撐件(14)，構成為在其周邊處承載基底(17)，所述基底(17)在操作期間與所述加熱元件隔開但以其表面中的一個直接面對所述加熱元件，

其中，

熱反射表面或鏡子(18)布置在所述基座(19)的表面上；

第二反射器件在所述基底支撐件(14)的另一側上布置在平行于所述基底和加熱元件的另一平面中，使得在操作期間，基底(17)以其表面中的另一個直接面對所述反射器件；

并且，不存在其它夾緊器件來在操作期間在基底支撐件(14)上將基底(17)保持在適當位置中。

2.?根據權利要求1所述的基底加工布置，其特征在于，熱反射表面或鏡子(18)包括安裝至基座(19)的鎳涂層或鎳板。

3.?根據權利要求1和/或2所述的基底加工布置，其特征在于，所述第二反射器件是處理材料的源或物理氣相沉積源的靶(11)。

4.?根據權利要求1和/或2所述的基底加工布置，其特征在于，所述第二反射器件是CVD或PECVD源的淋浴頭或加工氣體入口。

5.?根據權利要求1至4所述的基底加工布置，其特征在于，所述第二反射器件的材料包括Al、Ti、Ag、Ta、以及它們的合金和Ni。

6.?根據權利要求1至5所述的基底加工布置，其特征在于，在所述加熱元件(15)的平面與在操作期間布置基底(17)的所述平面之間的所述距離量為5至20mm之間。

7.?根據權利要求1至6所述的基底加工布置，其特征在于，基底支撐件(14)設計為環形承載區域或者在所述基底的圓周處的選擇性支撐件。

8.?根據權利要求1至7所述的基底加工布置，其特征在于，在操作期間所述基底(17)的平面與第二反射器件或靶(11)之間的靶-基底距離TSD分別選擇為范圍為從4至10cm。

9.?根據權利要求8所述的基底加工布置，其特征在于，所述TSD在5至8cm之間。

10.?根據權利要求1至9所述的基底加工布置，其特征在于布置在第二反射器件或靶(11)與基底支撐件(14)之間的屏蔽件(13)，所述屏蔽件(13)構成為在沉積于基底(17)上的層覆蓋面對靶(11)的整個表面時，保護基底支撐件(14)不被處理材料覆蓋。

11.?根據權利要求1至10所述的基底加工布置，其特征在于，加熱元件(15)是電阻加熱器。

12.?根據權利要求1至10所述的基底加工布置，其特征在于，加熱元件(15)是輻射類型加熱器。

13.?根據權利要求1至10所述的基底加工布置，其特征在于，加熱元件(15)是碳加熱器。

14.?根據權利要求13所述的基底加工布置，其特征在于，所述碳加熱器具有帶有放置在外面的電連接件的雙螺旋結構。

15.?根據權利要求13和/或14所述的基底加工布置，其特征在于，所述電連接件布置在有效加熱的基底區域外。

16.?一種在加工布置中處理基底的方法，包括：

將基底(17)放置在根據權利要求1所述的基底加工布置的基底支撐件(14)上；

將所述基底加熱至預定的溫度；

處理所述基底。