[發明專利]具有高穩定性的高溫芯片

有效

• 申請號: 201380055826.1
• 申請日: 2013-09-23
• 公開（公告）號: CN104769400B
• 公開（公告）日: 2019-03-15
• 發明（設計）人: 卡爾海因茨·維南德;馬茨威·青克維奇;瑪吉特·桑德爾
• 申請（專利權）人: 賀利氏傳感技術有限公司
• 主分類號: G01K1/08
• 分類號: G01K1/08;G01K7/18
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 張天舒;張杰

1.一種溫度傳感器，其具有經涂覆的基底(16)、至少一個電阻結構(11)和至少兩個連接觸點(12、13)，其中，所述連接觸點(12、13)電接觸所述電阻結構(11)，所述基底(16)由氧化鋯或者氧化鋯陶瓷制成，其中，氧化鋯或氧化鋯陶瓷中的氧化鋯是通過三價和五價金屬氧化物被穩定的，其中，所述基底(16)涂覆有絕緣層(17)，所述電阻結構(11)和所述絕緣層(17)的沒有設置所述電阻結構(11)于其上的自由區域至少局部涂覆有陶瓷中間層(18)，并且在所述陶瓷中間層(18)上設置保護層(19)和/或蓋部(20)，其中至少在一個連接觸點(12、13)上，在所述絕緣層(17)上的所述電阻結構(11)的旁邊設置至少一個電極(14、15)，所述一個電極(14、15)或多個電極(14、15)與所述電阻結構(11)一體構成。

2.根據權利要求1所述的溫度傳感器，其特征在于，所述電阻結構(11)完全涂覆有所述陶瓷中間層(18)。

3.根據權利要求2所述的溫度傳感器，其特征在于，至少所述絕緣層(17)與所述電阻結構(11)鄰接的區域由所述陶瓷中間層(18)所覆蓋。

4.根據權利要求1所述的溫度傳感器，其特征在于，所述電阻結構(11)具有曲折結構，其中，所述陶瓷中間層(18)覆蓋所述絕緣層(17)的所述曲折結構之間的自由區域。

5.根據權利要求4所述的溫度傳感器，其特征在于，氧化鋯或氧化鋯陶瓷中的氧化鋯是通過5Mol％至20Mol％的三價和五價金屬氧化物被穩定的。

6.根據權利要求1所述的溫度傳感器，其特征在于，在兩個連接觸點(12、13)上，在所述絕緣層(17)上的所述電阻結構(11)的旁邊分別設置一個電極(14、15)，

其中，所述多個電極(14、15)與所述電阻結構(11)一體構成的。

7.根據權利要求1所述的溫度傳感器，其特征在于，所述絕緣層(17)是金屬氧化物層(17)。

8.根據權利要求1所述的溫度傳感器，其特征在于，所述絕緣層(17)是氧化鋁層(17)。

9.一種溫度傳感器，其具有基底(16)、至少一個電阻結構(11)和至少兩個連接觸點(12、13)，其中，所述連接觸點(12、13)電接觸所述電阻結構(11)，并且至少在一個連接觸點(12、13)上，在所述基底(16)上的所述電阻結構(11)的旁邊設置至少一個電極(14、15)，其中，一個所述電極(14、15)或多個所述電極(14、15)是與所述電阻結構(11)一體構成的，其中，所述電阻結構(11)和所述基底(16)的其上沒有設置所述電阻結構(11)的自由區域，至少局部涂覆有陶瓷中間層(18)，并且在所述陶瓷中間層(18)上設置保護層(19)和/或蓋部(20)，其中，所述陶瓷中間層(18)是多孔的。

10.根據權利要求1或9所述的溫度傳感器，其特征在于，所述電阻結構(11)被一個所述電極(14、15)或多個所述電極(14、15)至少局部包圍。

11.根據權利要求10所述的溫度傳感器，其特征在于，所述電阻結構(11)至少一側被所述電極(14、15)包圍。

12.根據權利要求10所述的溫度傳感器，其特征在于，所述電阻結構(11)的至少兩側被至少兩個所述電極(14、15)包圍。

13.根據權利要求10所述的溫度傳感器，其特征在于，所述電阻結構(11)的對置兩側被兩個所述電極(14、15)包圍。

14.根據權利要求1或9所述的溫度傳感器，其特征在于，所述陶瓷中間層(18)具有1％至20％的孔隙度。