[發(fā)明專利]光電器件和用于制造光電器件的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380055822.3
• 申請日: 2013-08-21
• 公開（公告）號: CN104756266B
• 公開（公告）日: 2017-10-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: D.奧布里恩
• 申請（專利權(quán)）人: 奧斯蘭姆奧普托半導(dǎo)體有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L33/60
• 分類號: H01L33/60;H01L25/075
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 杜荔南,劉春元

1.光電器件（1），具有：

－殼體（2），其中殼體（2）具有至少一個第一凹槽（3A）；

－至少一個第一半導(dǎo)體芯片（4A），其中第一半導(dǎo)體芯片（4A）布置在第一凹槽（3A）中，

－其中第一凹槽（3A）被構(gòu)造成第一反射器以用于反射在第一半導(dǎo)體芯片（4A）的運行中生成的輻射；

－其中第一反射器具有表面；

－其中所述表面被構(gòu)造為有針對性地調(diào)整由第一半導(dǎo)體芯片（4A）在運行中發(fā)射的輻射的輻射特性（6）；

－其中殼體（2）具有至少一個被構(gòu)造成第二反射器的第二凹槽（3），并且其中第二半導(dǎo)體芯片（4）被布置在第二凹槽（3）中；并且

－其中第一反射器被構(gòu)造為漫射地反射由第一半導(dǎo)體芯片（4A）發(fā)射的輻射，并且其中第二反射器被構(gòu)造為定向地反射由第二半導(dǎo)體芯片（4）發(fā)射的輻射。

2.光電器件（1）， 具有：

－殼體（2），其中殼體（2）具有至少一個第一凹槽（3A）；

－至少一個第一半導(dǎo)體芯片（4A），其中第一半導(dǎo)體芯片（4A）布置在第一凹槽（3A）中；

－其中第一凹槽（3A）被構(gòu)造成第一反射器以用于反射在第一半導(dǎo)體芯片（4A）的運行中生成的輻射；

－其中第一反射器具有表面；

－其中所述表面被構(gòu)造為有針對性地調(diào)整由第一半導(dǎo)體芯片（4A）在運行中發(fā)射的輻射的輻射特性（6）；

－其中所述殼體（2）具有至少一個被構(gòu)造為第二反射器的第二凹槽（3）并且其中第二半導(dǎo)體芯片（4）被布置在所述第二凹槽（3）中，以及

－其中第一反射器的表面粗糙度大于第二反射器的表面粗糙度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電器件（1），

其中第一反射器的表面粗糙度大于第二反射器的表面粗糙度和/或第一和第二反射器的相應(yīng)表面至少部分地具有金屬層，并且其中第一反射器的金屬層比第二反射器的金屬層更薄。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光電器件（1），

其中第一反射器的表面具有至少一個第一區(qū)域和至少一個第二區(qū)域，并且其中第一反射器的表面的第一區(qū)域被構(gòu)造為漫射地反射由第一半導(dǎo)體芯片（4A）發(fā)射的輻射，并且其中第一反射器的表面的第二區(qū)域被構(gòu)造為比第一區(qū)域更定向地反射由第一半導(dǎo)體芯片（4A）發(fā)射的輻射。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光電器件（1），

其中第一反射器的表面的第一區(qū)域比第一反射器的表面的第二區(qū)域具有更高的表面粗糙度。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光電器件（1），

其中第一區(qū)域的表面粗糙度大于或等于由第一半導(dǎo)體芯片（4A）發(fā)射的輻射的波長，并且其中第二區(qū)域的表面粗糙度小于由第一半導(dǎo)體芯片（4A）發(fā)射的輻射的波長。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電器件（1），

其中第一反射器的表面粗糙度大于第二反射器的表面粗糙度。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光電器件（1），

其中第一反射器的表面粗糙度大于或等于由第一半導(dǎo)體芯片（4A）發(fā)射的輻射的波長，并且其中第二反射器的表面粗糙度小于由第二半導(dǎo)體芯片（4）發(fā)射的輻射的波長。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光電器件（1），

其中殼體（2）由塑料構(gòu)成。

10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光電器件（1），

其中第一反射器的表面至少部分地具有金屬層，并且其中第二區(qū)域中的金屬層比第一區(qū)域中的金屬層更厚。

11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光電器件（1），

其中第一和第二反射器的相應(yīng)表面至少部分地具有金屬層，并且其中第一反射器的金屬層比第二反射器的金屬層更薄。