[發明專利]發光二極管模塊

在審

• 申請號: 201380055577.6
• 申請日: 2013-10-16
• 公開（公告）號: CN104756251A
• 公開（公告）日: 2015-07-01
• 發明（設計）人: 賴納·溫迪施;克里斯特·貝格內克
• 申請（專利權）人: 歐司朗有限公司
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;H01L33/50
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;李慧

1.一種發光二級管模塊(10)，具有

-至少一個第一發光二級管芯片(11)，設置用于產生具有第一主波長(L1)的藍色光譜范圍中的射束，

-至少一個第二發光二級管芯片(12)，設置用于產生具有第二主波長(L2)的藍色光譜范圍中的射束，

-至少一個第三發光二級管芯片(13)，設置用于產生具有第三主波長(L3)的紅色光譜范圍中的射束，

-第一熒光材料(21)，布置在所述第一發光二級管芯片(11)的下游，和

-第二熒光材料(22)，布置在所述第二發光二級管芯片(12)的下游，

其中

-所述發光二級管模塊(10)設置用于放射白光，

-所述第一發光二級管芯片(11)連同所述第一熒光材料(21)發射第一混合射束(M1)并且所述第二發光二級管芯片(21)連同所述第二熒光材料(22)發射第二混合射束(M2)，

-所述第一熒光材料(21)在大于所述第一主波長(L1)的波長中表現出第一吸收最大值(A1)，和

-所述第二熒光材料(22)在小于所述第二主波長(L2)的波長中表現出第二吸收最大值(A2)。

2.根據前述權利要求所述的發光二級管模塊(10)，

其中所述第一熒光材料(21)具有大于570nm的主要發射波長并且所述第二熒光材料(22)具有小于570nm的主要發射波長，

其中所述第一熒光材料(21)的第一吸收最大值(A1)位于450nm和470nm之間并包含450nm和470nm，并且所述第二熒光材料(22)的第二吸收最大值(A2)位于425nm和442nm之間并包含425nm和442nm，并且

其中所述第一主波長(L1)和所述第二主波長(L2)位于440nm和465nm之間，以及所述第三主波長(L3)位于610nm和670nm之間并包含610nm和670nm。

3.根據前述權利要求中任一項所述的發光二級管模塊(10)，

其中

-所述第一混合射束(M1)的色坐標在CIE標準比色表中由具有角點(0.32；0.36)、(0.48；0.48)、(0.40；0.56)和(0.32；0.40)的四邊形所包圍，其中所述角點通過(C_x；C_y)值來限定，

-所述第二混合射束(M2)的色坐標在CIE標準比色表中由具有角點(0.22；0.20)、(0.30；0.40)、(0.24；0.46)和(0.18；0.22)的四邊形所包圍，并且

-出自所述混合射束(M1，M2)的混合色坐標由具有角點(0.34；0.38)、(0.42；0.44)、(0.38；0.46)和(0.32；0.42)的四邊形所包圍。

4.根據前述權利要求中任一項所述的發光二級管模塊(10)，

其中與所述第二發光二級管芯片(12)的由所述第二熒光材料(22)吸收的射束部分相比，由所述第一熒光材料(21)吸收所述第一發光二級管芯片(11)的較高的射束部分，從而使得所述第一混合射束(M1)與所述第二混合射束(M2)相比具有更小的藍色部分。

5.根據前述權利要求中任一項所述的發光二級管模塊(10)，

其中所述第一主波長(L1)小于所述第二主波長(L2)，

其中主波長(L1，L2)之間的波長差最小為6nm和最高為18nm。

6.根據權利要求1至4中任一項所述的發光二級管模塊(10)，其中所述第一主波長(L1)等于所述第二主波長(L2)，具有最高3nm的公差。

7.根據前述權利要求中任一項所述的發光二級管模塊(10)，其中所述第二發光二極管芯片(12)設置用于，以所述第一發光二極管芯片(11)的電流的最小15％和最高60％來通電。

8.根據前述權利要求中任一項所述的發光二級管模塊(10)，

其中所述發光二極管芯片(11，12，13)能夠變化地通電，使得由所述發光二極管模塊(10)發射的白光的色溫能夠在最小1600K的色溫范圍之上進行調光。

9.根據前述權利要求中任一項所述的發光二級管模塊(10)，

其中在所述發光二極管模塊(10)所發射的光流中的由所述第三發光二極管芯片(13)產生的部分為最小是3％且最高是20％。