[發明專利]包含無機磷酸鹽的摻雜組合物在審
| 申請號: | 201380055446.8 | 申請日: | 2013-10-25 |
| 公開(公告)號: | CN104756234A | 公開(公告)日: | 2015-07-01 |
| 發明(設計)人: | E·V·羅戈吉納 | 申請(專利權)人: | E.I.內穆爾杜邦公司 |
| 主分類號: | H01L21/22 | 分類號: | H01L21/22;H01L21/228;H01L31/18 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 江磊;朱黎明 |
| 地址: | 美國特*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 包含 無機 磷酸鹽 摻雜 組合 | ||
1.一種半導體摻雜方法,包括:
(A)獲得包含半導體材料的基板,以及
(B)使所述基板的表面的至少一部分與有效量的摻雜組合物接觸,所述摻雜組合物包含:a)溶劑和b)分散在所述溶劑中的含磷的酸的無機鹽。
2.根據權利要求1所述的方法,其中所述基板包含硅。
3.根據權利要求1所述的方法,其中所述含磷的酸為正磷酸。
4.根據權利要求1所述的方法,其中所述含磷的酸為偏磷酸。
5.根據權利要求1所述的方法,其中所述含磷的酸為焦磷酸。
6.根據權利要求1所述的方法,其中所述鹽為所述含磷的酸的金屬鹽。
7.根據權利要求1所述的方法,其中所述鹽為所述含磷的酸的酸性鹽。
8.根據權利要求1所述的方法,其中所述鹽選自:Al(H2PO4)3、Al(PO3)3、Ca3(PO4)2、CaHPO4、Ca(H2PO4)2、Ca2P2O7、MgHPO4、Mg3(PO4)2、Zr(HPO4)2、Na4P2O7以及它們的組合。
9.根據權利要求1所述的方法,其中所述摻雜組合物為非牛頓流體。
10.根據權利要求1所述的方法,其中所述摻雜組合物不包含含磷的酸或磷氧化物。
11.根據權利要求1所述的方法,其中所述溶劑為有機溶劑。
12.根據權利要求1所述的方法,其中所述溶劑選自:醇、醛、酮、羧酸、酯、胺、有機硅氧烷、鹵代烴、烴以及它們的組合。
13.根據權利要求1所述的方法,其中所述摻雜組合物還包含粘合聚合物。
14.根據權利要求11所述的方法,其中所述粘合聚合物選自聚丙烯酸酯、聚縮醛、聚乙烯、纖維素、纖維素醚和酯、以及它們的共聚物。
15.根據權利要求1所述的方法,其中所述摻雜組合物還包含基體材料。
16.根據權利要求13所述的方法,其中所述基體材料包含納米顆粒。
17.根據權利要求1所述的方法,所述方法還包括加熱所述基板,其中所述加熱導致所述無機鹽的磷原子擴散到所述基板中。
18.根據權利要求1所述的方法,其中所述接觸包括將所述摻雜組合物印刷在所述基板的表面的至少一部分上。
19.根據權利要求16所述的方法,其中所述印刷包括絲網印刷。
20.根據權利要求1所述的方法,其中所述接觸使得所述基板的表面的第一部分被所述摻雜組合物覆蓋,然而所述基板的表面的第二部分不被所述摻雜組合物覆蓋。
21.根據權利要求18所述的方法,所述方法還包括加熱所述基板,其中所述加熱導致所述基板的表面的第一部分與所述無機鹽的磷原子摻雜,并且其中所述基板的表面的第二部分不被顯著摻雜。
22.一種半導體摻雜方法,包括:
(A)獲得包含半導體材料的基板,以及
(B)使所述基板的表面的至少一部分與有效量的磷酸的無機鹽接觸,其中所述鹽選自:Al(H2PO4)3、Al(PO3)3、Ca3(PO4)2、CaHPO4、Ca(H2PO4)2、Ca2P2O7、MgHPO4、Mg3(PO4)2、Zr(HPO4)2、Na4P2O7以及它們的組合。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





