[發明專利]新的稠合多環芳香族化合物及其用途無效
| 申請號: | 201380054760.4 | 申請日: | 2013-10-17 |
| 公開(公告)號: | CN104903330A | 公開(公告)日: | 2015-09-09 |
| 發明(設計)人: | 瀧宮和男;品村祥司;濱田雅裕;貞光雄一 | 申請(專利權)人: | 日本化藥株式會社 |
| 主分類號: | C07D495/04 | 分類號: | C07D495/04;H01L21/336;H01L29/786;H01L31/10;H01L51/05;H01L51/30;H01L51/42;H01L51/50 |
| 代理公司: | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人: | 楊青;穆德駿 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 稠合多環 芳香族 化合物 及其 用途 | ||
1.一種稠合多環芳香族化合物,其由通式(1)或(2)表示:
其中R1至R8各自獨立地表示選自氫原子、鹵素原子、烴氧基、芳香族烴基、脂族烴基、脂環族烴基、酯基、酰基、氰基和取代的甲硅烷基的原子或官能團,X1至X4各自獨立地表示氰基、酯基或酰基,并且Y1至Y4各自獨立地表示氧原子、硫原子或硒原子。
2.權利要求1的稠合多環芳香族化合物,其中X1至X4都是氰基。
3.權利要求1或2的稠合多環芳香族化合物,其中R3、R4、R7和R8都是氫原子。
4.權利要求1至3任一項的稠合多環芳香族化合物,其中Y1至Y4都是硫原子。
5.權利要求1至4任一項的稠合多環芳香族化合物,其中R1、R2、R5和R6各自獨立地是具有1至30個碳原子的芳香族烴基或脂族烴基。
6.權利要求5的稠合多環芳香族化合物,其中R1、R2、R5和R6各自獨立地是具有1至30個碳原子的直鏈或支鏈烷基。
7.權利要求1至4任一項的稠合多環芳香族化合物,其中R1、R2、R5和R6各自獨立地是三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基或三異丙基甲硅烷基。
8.權利要求1至4任一項的稠合多環芳香族化合物,其中R1、R2、R5和R6都是氫原子。
9.一種有機半導體材料,其包含權利要求1至8任一項的稠合多環芳香族化合物。
10.權利要求9的有機半導體材料,其中所述有機半導體材料是n型半導體材料。
11.一種用于形成有機半導體的組合物,其包含權利要求1至8任一項的稠合多環芳香族化合物和有機溶劑。
12.權利要求11的用于形成有機半導體的組合物,其中相對于所述用于形成有機半導體的組合物的總量,所述稠合多環芳香族化合物的含量在0.01重量%以上至10重量%以下的范圍內。
13.一種薄膜,其包含權利要求1至8任一項的稠合多環芳香族化合物。
14.一種有機半導體器件,其包含權利要求13的薄膜。
15.權利要求14的有機半導體器件,其中所述器件是有機晶體管器件。
16.一種用于生產有機半導體器件的方法,所述方法包括將權利要求1至8任一項的稠合多環芳香族化合物通過溶液法沉積在基材上的步驟。
17.一種用于生產有機半導體器件的方法,所述方法包括將權利要求1至8任一項的稠合多環芳香族化合物通過真空法沉積在基材上的步驟。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于日本化藥株式會社,未經日本化藥株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201380054760.4/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





