[發(fā)明專利]抗劃痕偏振制品及其制造和使用方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380054757.2 | 申請日： | 2013-10-14 |
| 公開（公告）號： | CN104871048A | 公開（公告）日： | 2015-08-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | F·M·迪瑞斯;D·亨利 | 申請（專利權(quán)）人： | 康寧股份有限公司 |
| 主分類號： | G02B5/30 | 分類號： | G02B5/30 |
| 代理公司： | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人： | 項(xiàng)丹;郭輝 |
| 地址： | 美國*** | 國省代碼： | 美國;US |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 劃痕 偏振 制品 及其 制造 使用方法 | ||
1.一種光偏振制品，其包括：
透光基材；
布置在透光基材的表面上的光偏振層，其中所述光偏振層包含二向色染料；以及
布置在光偏振層上的保護(hù)多層，其中所述保護(hù)多層包括：
布置在光偏振層上的厚的聚合物第一層，其中，所述厚的聚合物第一層的厚度至少約為20微米；以及
布置在厚的聚合物第一層上的薄的抗磨損第二層，其中所述薄的抗磨損第二層的厚度小于或等于約10微米。
2.如權(quán)利要求1所述的光偏振制品，所述光偏振制品還包括插入光偏振層和保護(hù)多層的厚的聚合物第一層之間的粘合促進(jìn)底漆層。
3.如權(quán)利要求2所述的光偏振制品，其特征在于，所述粘合促進(jìn)底漆層包含硅烷。
4.如權(quán)利要求1所述的光偏振制品，其特征在于，所述光偏振層還包含浸漬于其中的硅氧烷。
5.如權(quán)利要求1所述的光偏振制品，其特征在于，所述厚的聚合物第一層的厚度約為40-60微米。
6.如權(quán)利要求1所述的光偏振制品，其特征在于，所述薄的抗磨損第二層的厚度約為1-5微米。
7.如權(quán)利要求1所述的光偏振制品，其特征在于，所述厚的聚合物第一層的厚度約為40-60微米，以及所述薄的抗磨損第二層的厚度約為1-5微米。
8.如權(quán)利要求1所述的光偏振制品，其特征在于，所述厚的聚合物第一層包含可輻射固化的(甲基)丙烯酸酯。
9.如權(quán)利要求8所述的光偏振制品，其特征在于，所述可輻射固化的(甲基)丙烯酸酯是由包含約40-90重量％的反應(yīng)性稀釋劑乙烯類單體的組合物形成的。
10.如權(quán)利要求9所述的光偏振制品，其特征在于，所述反應(yīng)性稀釋劑乙烯類單體包括甲基丙烯酸羥基乙基酯、丙烯酸異冰片基酯、丙烯酸、丙烯酸四氫糠基酯，或者它們的混合物或摻混物。
11.一種光偏振制品，其包括：
玻璃基材；
布置在玻璃基材的表面上的光偏振層，其中所述光偏振層包含二向色染料和浸漬的硅氧烷；以及
布置在光偏振層上的保護(hù)多層，其中所述保護(hù)多層包括：
布置在光偏振層上的厚度約為40-60微米的厚的聚合物第一層；以及
布置在厚的聚合物第一層上的厚度約為1-5微米的薄的抗磨損第二層。
12.如權(quán)利要求11所述的光偏振制品，所述光偏振制品還包括插入光偏振層和保護(hù)多層的厚的聚合物第一層之間的粘合促進(jìn)底漆層。
13.一種制造光偏振制品的方法，所述方法包括：
提供透光基材；
在透光基材的表面的至少一部分上形成包含二向色染料的光偏振層；
在光偏振層上形成厚的聚合物第一層，其中，所述厚的聚合物第一層的厚度至少約為20微米；以及
在厚的聚合物第一層上形成薄的抗磨損第二層，其中所述薄的抗磨損第二層的厚度小于或等于約10微米。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，所述方法還包括在形成光偏振層之前，通過以單軸方向?qū)Ρ砻孢M(jìn)行磨蝕，在透光基材的表面上形成多個(gè)微槽。
15.如權(quán)利要求13所述的方法，所述方法還包括使得光偏振層的二向色染料不溶化和穩(wěn)定化。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，使得二向色染料不溶化和穩(wěn)定化包括：
使得光偏振層與由γ-氨基丙基三甲氧基硅烷和/或γ-氨基丙基三乙氧基硅烷制備的水性溶液接觸；以及
將經(jīng)接觸的光偏振層加熱至約60-140攝氏度，以使得用γ-氨基丙基三甲氧基硅烷和/或γ-氨基丙基三乙氧基硅烷浸漬光偏振層。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，使得二向色染料不溶化和穩(wěn)定化還包括：
使得經(jīng)熱處理的光偏振層與環(huán)氧化烷基三烷氧基硅烷的水性溶液接觸；
使得環(huán)氧化烷基三烷氧基硅烷發(fā)生反應(yīng)以使得所述環(huán)氧化烷基三烷氧基硅烷縮合和/或聚合化；以及
在約60-220攝氏度之間加熱經(jīng)反應(yīng)的環(huán)氧化烷基三烷氧基硅烷，以使得用經(jīng)反應(yīng)的環(huán)氧化烷基三烷氧基硅烷浸漬光偏振層。
18.如權(quán)利要求13所述的方法，所述方法還包括在形成厚的聚合物第一層之前，在光偏振層上布置粘合促進(jìn)底漆層。
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