[發(fā)明專利]用于大分析物陣列的圖像捕獲在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380054608.6 | 申請日: | 2013-10-17 |
| 公開(公告)號: | CN104937401A | 公開(公告)日: | 2015-09-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | J·巴里奇;R·勒邁爾-阿德金斯;D·尼茲;A·諾特柯維奇;P·帕特;R·肖特;S·史沃特;E·思拉什 | 申請(專利權(quán))人: | 生物輻射實驗室股份有限公司 |
| 主分類號: | G01N27/26 | 分類號: | G01N27/26;G01N27/447;G06K9/36 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 李玲 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 分析 陣列 圖像 捕獲 | ||
1.一種分析多個分析物的方法,所述分析物是可通過光發(fā)射檢測的并且被設(shè)置在由平面基質(zhì)支撐的二維陣列中,所述平面基質(zhì)的長度、寬度或長度和寬度兩者具有大約3cm的最小值,所述方法包括:
(a)將所述平面基質(zhì)放置在檢測器的5cm之內(nèi),所述檢測器選自由以下組成的組:
(1)多個固態(tài)圖像傳感器,所述多個固態(tài)圖像傳感器被設(shè)置在傳感器陣列中并且每個固態(tài)圖像傳感器被定位以形成所述基質(zhì)的一段的子圖像從而使得所述段共同地覆蓋所述整個基質(zhì),以及計算機,所述計算機用于根據(jù)所述圖像傳感器在所述傳感器陣列中的位置對在每個圖像傳感器處形成的子圖像進行組裝以形成所述平面基質(zhì)的圖像,整體上作為所述子圖像的合成物,以及
(2)設(shè)置在一陣列中的多個光敏元件,所述陣列是至少基本上與所述基質(zhì)同延的,薄膜尋址電路,所述薄膜尋址電路控制所述光敏元件累積能量并控制從所述光敏元件釋放能量,以及數(shù)據(jù)存儲介質(zhì),所述數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)將從所述光敏元件釋放的能量與所述平面基質(zhì)上的位點進行關(guān)聯(lián)并且整體上從如此釋放的所述能量形成所述平面基質(zhì)的圖像;以及
(b)以補償或消除跨越不代表二維的分析物陣列的所述平面基質(zhì)圖像的光強中的任何不規(guī)則的方式整體上由所述檢測器產(chǎn)生所述平面基質(zhì)圖像;以及
(c)從如此生成的所述平面基質(zhì)圖像對所述分析物進行分析。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中步驟(b)包括應用平場校正來補償或消除所述不規(guī)則。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述平面基質(zhì)是板型凝膠,并且通過所述分析物在所述凝膠中的電泳分離而產(chǎn)生所述二維陣列。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述平面基質(zhì)是印跡膜,并且所述二維陣列是從板型凝膠轉(zhuǎn)移到所述印跡膜的溶質(zhì)帶的陣列,其中通過所述分析物在所述凝膠中的電泳分離而產(chǎn)生所述帶。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述檢測器包括多個固態(tài)圖像傳感器,所述多個固態(tài)圖像傳感器被設(shè)置在傳感器陣列中并且每個固態(tài)圖像傳感器被定位以形成所述基質(zhì)的一段的子圖像從而使得所述段共同地覆蓋所述整個基質(zhì),以及計算機,所述計算機用于根據(jù)所述圖像傳感器在所述傳感器陣列中的位置對在每個圖像傳感器處形成的所述子圖像進行組裝以形成所述平面基質(zhì)的所述圖像,所述圖像整體上作為所述子圖像的合成物。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其中所述固態(tài)圖像傳感器是CCD或CMOS傳感器,并且所述計算機包括計算機可讀指令,用于對準所述子圖像、用于校準所述子圖像以及用于合并相鄰的子圖像之間的重疊區(qū)域。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述檢測器包括多個光敏元件,所述多個光敏元件被設(shè)置在至少基本上與所述基質(zhì)同延的陣列中,薄膜尋址電路,所述薄膜尋址電路控制所述光敏元件累積能量并控制從所述光敏元件釋放能量,以及數(shù)據(jù)存儲介質(zhì),所述數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)將從所述光敏元件釋放的能量與所述平面基質(zhì)上的位點進行相關(guān)并且整體上從如此釋放的所述能量形成所述平面基質(zhì)的圖像。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其中所述光敏元件是光電二極管,并且所述薄膜尋址電路包括薄膜場效應晶體管。
9.根據(jù)權(quán)利要求5或7所述的方法,其中所述檢測器限定一平檢測表面,所述方法還包括在步驟(c)之前產(chǎn)生每個子圖像的暗信號模式并且從所述平面基質(zhì)圖像減去所述暗信號模式。
10.根據(jù)權(quán)利要求5或7所述的方法,其中所述檢測器限定一平檢測表面,所述方法還包括沿著所述平檢測表面在選定的位點處測量溫度以確定溫度模式,產(chǎn)生代表所述溫度模式的暗信號模式,并且從所述平面基質(zhì)圖像減去所述暗信號模式。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述檢測器由像素組成,并且步驟(b)包括使光從所述平面基質(zhì)通過光管陣列至所述檢測器,每個所述光管將光引導至單個像素。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中在所述平面基質(zhì)和所述檢測器之間放置透明面板。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法,其中所述透明面板是光纖面板或光纖錐。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法,其中所述透明面板的最大厚度是大約10mm。
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