[發(fā)明專利]包含鋁合金的具有高鋁含量的膜的沉積

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380054227.8
• 申請日: 2013-10-23
• 公開（公告）號: CN104718314B
• 公開（公告）日: 2018-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 戴維·湯普森;斯里尼瓦斯·甘迪科塔;呂新亮;唐薇;周靜;賽沙德利·甘古利;杰弗里·W·安西斯;阿蒂夫·努里;法魯克·京格爾;吳典曄;張鎂;陳世忠
• 申請（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料公司
• 主分類號: C23C30/00
• 分類號: C23C30/00;C23C26/00
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

1.一種沉積膜的方法，所述方法包括以下步驟：

使基板表面暴露于金屬鹵化物前驅(qū)物，所述金屬鹵化物前驅(qū)物包括金屬鹵化物以于所述基板表面處提供金屬鹵化物；

清除過剩的金屬鹵化物；

使所述基板表面暴露于烷基鋁前驅(qū)物和鋁烷前驅(qū)物，以提供包括金屬鋁合金的N-金屬膜，所述烷基鋁前驅(qū)物包括以下物質(zhì)中的一或多種：三甲基鋁、三乙基鋁、氫化二甲基鋁、二乙基氫化鋁、甲基二氫化鋁、C1-C3單烷基氫化鋁或C1-C3二烷基氫化鋁，所述鋁烷前驅(qū)物包括胺-鋁烷和穩(wěn)定化胺，所述穩(wěn)定化胺選自二甲基環(huán)己胺和二環(huán)甲基己胺中的一或多種。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中在暴露于所述鋁烷前驅(qū)物之前進(jìn)行暴露于所述烷基鋁前驅(qū)物。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中在暴露于所述鋁烷前驅(qū)物之后進(jìn)行暴露于所述烷基鋁前驅(qū)物。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述金屬選自鈦、鉭和鉿中的一或多種。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述基板表面具有200至400℃的溫度。

6.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述基板表面暴露于所述烷基鋁與所述基板表面暴露于所述鋁烷前驅(qū)物至少部分重疊。

7.如權(quán)利要求2所述的方法，進(jìn)一步包括清除所述鋁烷前驅(qū)物。

8.如權(quán)利要求2所述的方法，進(jìn)一步包括使所述基板表面暴露于胺，其中在所述基板表面暴露于所述烷基鋁和/或所述鋁烷前驅(qū)物時(shí)所述基板表面暴露于所述胺。

9.如權(quán)利要求2所述的方法，進(jìn)一步包括用合金劑浸泡所述N-金屬膜，其中所述合金劑包括SiH₄、GeH₄、三甲基鎵和B₂H₆中的一或多種。

10.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述N-金屬膜含有小于20％的碳。

11.如權(quán)利要求2所述的方法，進(jìn)一步包括在所述基板暴露于所述鋁烷前驅(qū)物期間，使所述基板表面暴露于第四前驅(qū)物，所述第四前驅(qū)物包括二甲基乙基胺、二甲基環(huán)己胺或吡咯烷鋁烷中的一或多種。

12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第四前驅(qū)物是蒸汽前驅(qū)物。

13.一種通過權(quán)利要求1所述的方法形成的包含鋁、碳和另一金屬的鋁金屬合金膜，所述另一金屬不同于鋁，其中所述鋁的元素含量是大于16％的量，且碳含量小于50％。

14.如權(quán)利要求13所述的膜，其中所述另一金屬選自由鈦、鉭和鉿組成的群組。

15.如權(quán)利要求13所述的膜，其中所述鋁的元素含量是大于20％的量。

16.如權(quán)利要求15所述的膜，其中所述碳的元素含量是小于30％的量。

17.如權(quán)利要求13所述的膜，其中金屬與碳的元素含量比例小于50％。

18.一種通過權(quán)利要求1所述的方法制得的膜。