[發明專利]磁共振成像裝置以及SAR的預測方法

有效

• 申請號: 201380054221.0
• 申請日: 2013-11-11
• 公開（公告）號: CN104736050A
• 公開（公告）日: 2015-06-24
• 發明（設計）人: 新井浩一;八尾武;佐藤良昭
• 申請（專利權）人: 株式會社日立醫療器械
• 主分類號: A61B5/055
• 分類號: A61B5/055
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 張莉

1.一種磁共振成像裝置，具有：靜磁場產生部，向攝像空間施加靜磁場；床，在所述攝像空間內配置被檢測體；傾斜磁場線圈，向所述攝像空間施加傾斜磁場；照射線圈，向所述攝像空間照射高頻磁場；接收線圈，接收所述攝像空間的所述被檢測體產生的核磁共振信號；以及控制部，根據規定的攝像脈沖序列，控制來自所述傾斜磁場線圈的所述傾斜磁場的施加定時以及來自所述照射線圈的所述高頻磁場的照射定時，該磁共振成像裝置的特征在于，

所述控制部具備：SAR預測部，使用所述照射線圈的Q值來預測對所述被檢測體實施了所述攝像脈沖序列時的比吸收率、即SAR，

所述SAR預測部在所述被檢測體配置于所述攝像空間的狀態下，從所述照射線圈向所述被檢測體照射高頻磁場脈沖，檢測所述照射線圈的發送電壓和反射電壓，根據所述發送電壓和所述反射電壓來求取配置有所述被檢測體的狀態下的所述照射線圈的Q值，使用求取到的所述Q值來預測所述SAR。

2.根據權利要求1所述的磁共振成像裝置，其特征在于，

所述SAR預測部照射的所述高頻磁場脈沖具有規定的頻率，根據檢測到的所述照射線圈的發送電壓和反射電壓來求取駐波比，根據所述駐波比來求取所述Q值。

3.根據權利要求2所述的磁共振成像裝置，其特征在于，

所述SAR預測部根據預先已求取的駐波比與Q值之間的關系，求取與所述駐波比的值相對應的所述Q值。

4.根據權利要求2所述的磁共振成像裝置，其特征在于，

所述高頻磁場脈沖的頻率是水的共振頻率。

5.根據權利要求1或2所述的磁共振成像裝置，其特征在于，

所述SAR預測部向所述被檢測體照射與用于求取所述Q值的高頻磁場脈沖不同的、規定頻率的高頻磁場脈沖，檢測所述照射線圈的發送功率和反射功率，使用該發送功率與該反射功率的差分和所述Q值來預測所述SAR。

6.根據權利要求1所述的磁共振成像裝置，其特征在于，

所述SAR預測部通過使頻率不同來多次照射所述高頻磁場脈沖，在每次照射時檢測所述照射線圈的發送電壓和反射電壓，根據所述發送電壓和所述反射電壓來求取阻抗，根據所述阻抗的最大值來求取所述Q值。

7.根據權利要求6所述的磁共振成像裝置，其特征在于，

所述SAR預測部使用所述阻抗變成最大值的頻率和所述阻抗變成所述阻抗的最大值的一半值的頻率，求取所述Q值。

8.根據權利要求6所述的磁共振成像裝置，其特征在于，

所述SAR預測部根據預先已求取的阻抗的最大值與Q值之間的關系，求取與所述阻抗的最大值相對應的所述Q值。

9.根據權利要求1所述的磁共振成像裝置，其特征在于，

所述照射線圈連接了提供用于產生所述高頻磁場脈沖的高頻信號的信號線，在所述信號線上具備用于檢測所述照射線圈的發送電壓和反射電壓的方向性耦合器。

10.一種比吸收率的預測方法，其特征在于，

在將被檢測體配置于磁共振成像裝置的攝像空間內的狀態下，從照射線圈向被檢測體照射高頻磁場脈沖，檢測照射線圈的發送電壓和反射電壓，

根據所述發送電壓和所述反射電壓來求取配置有所述被檢測體的狀態下的所述照射線圈的Q值，使用求取到的所述Q值，求取對被檢測體實施了攝像脈沖序列時的比吸收率、即SAR。