[發明專利]防止在電荷泵電路中的閉鎖的半導體器件和方法

有效

• 申請號: 201380054122.2
• 申請日: 2013-10-02
• 公開（公告）號: CN104769717B
• 公開（公告）日: 2019-01-04
• 發明（設計）人: 丹尼爾·亞比斯卓;米切爾·雪弗萊
• 申請（專利權）人: 商升特公司
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 蔣駿;陳嵐

1.一種電荷泵電路，包括：

襯底；

在所述襯底中形成的第一電荷泵單元，所述第一電荷泵單元包括：

在所述襯底中形成的第一阱區，

包括布置在所述第一阱區中的第一導電區和第二導電區的第一晶體管，

在所述襯底中形成且與所述第一阱區分開的第二阱區，

在所述第二阱區內形成的第三阱區，以及

包括布置在所述第三阱區中的第一導電區和第二導電區的第二晶體管，其中所述第二阱區和第三阱區耦合到所述第一電荷泵單元的電壓輸入；以及

在所述襯底中形成的第二電荷泵單元，所述第二電荷泵單元包括第三晶體管，所述第三晶體管包括布置在所述第二阱區中的第一導電區和第二導電區。

2.如權利要求1所述的電荷泵電路，還包括第一電容器，所述第一電容器包括耦合以接收第一時鐘信號的第一端子和在第一節點處耦合到所述第一晶體管的控制端子和所述第二晶體管的控制端子的第二端子。

3.如權利要求2所述的電荷泵電路，其中所述第二晶體管的所述第一導電區通過所述第二阱區耦合到所述第三晶體管的第一導電區。

4.如權利要求3所述的電荷泵電路，還包括：

在所述襯底中形成的第四阱區；

包括布置在所述第四阱區中的第一導電區和第二導電區的第四晶體管；

在所述襯底中形成的第五阱區；

在所述第五阱區內形成的第六阱區；以及

包括布置在所述第六阱區中的第一導電區和第二導電區的第五晶體管，其中所述第五阱區和第六阱區耦合到所述電壓輸入。

5.如權利要求4所述的電荷泵電路，還包括第二電容器，所述第二電容器包括耦合以接收相對于所述第一時鐘信號相反相位的第二時鐘信號的第一端子，和在第二節點處耦合到所述第四晶體管的控制端子和所述第五晶體管的控制端子并耦合到所述第一晶體管的所述第一導電區的第二端子，其中所述第五晶體管的所述第一導電區耦合到所述電壓輸入，且所述第五晶體管的所述第二導電區耦合到所述第四晶體管的所述第一導電區并耦合到所述第一節點，且所述第四晶體管的所述第二導電區耦合到輸出端子。

6.一種制造半導體器件的方法，包括：

提供襯底；

通過如下步驟在所述襯底中形成第一電荷泵單元，

在所述襯底中形成第一阱區，

在所述第一阱區內形成第二阱區，

在所述第二阱區中形成第一晶體管，其中所述第一阱區和第二阱區耦合到所述第一電荷泵單元的電壓輸入端子，

在所述襯底中并與所述第一阱區分離地形成第三阱區，以及

在所述第三阱區中形成第二晶體管，其中所述第三阱區和所述第二晶體管的源極端子耦合到電壓輸出端子，并且所述第二晶體管的漏極端子耦合到所述第一晶體管的源極端子；以及在所述襯底中形成第二電荷泵單元，所述第二電荷泵單元包括第三晶體管，所述第三晶體管包括設置在所述第一阱區中的第一和第二導電區。

7.如權利要求6所述的方法，還包括：

在所述襯底中形成第四阱區；

在所述第四阱區中形成第三晶體管；

在所述襯底中形成第五阱區；

在所述第五阱區內形成第六阱區；以及

在所述第六阱區中形成第四晶體管，其中所述第五阱區和第六阱區耦合到所述電壓輸入端子。

8.如權利要求6所述的方法，還包括將所述第二電荷泵單元的輸出耦合到所述第一電荷泵單元的輸入。