[發明專利]多晶硅制造用原料氣體的供給方法和多晶硅

有效

• 申請號: 201380054109.7
• 申請日: 2013-09-30
• 公開（公告）號: CN104736480B
• 公開（公告）日: 2017-03-08
• 發明（設計）人: 黑澤靖志;禰津茂義
• 申請（專利權）人: 信越化學工業株式會社
• 主分類號: C01B33/035
• 分類號: C01B33/035
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司11219
• 代理人: 楊海榮,穆德駿

1.一種多晶硅制造用原料氣體的供給方法，向用于通過西門子法制造多晶硅的反應爐中供給原料氣體，其特征在于：

使用配置有一個以上原料氣體供給噴嘴的反應爐，使得反應爐內的所述原料氣體的流動模式在反應爐中心部呈上升流且在反應爐外壁側部呈下降流；

在0.25MPa～0.9MPa的反應壓力下進行多晶硅的析出反應時，在所述原料氣體供給噴嘴的氣體供給口處的原料氣體的流速設為u(m/sec)、原料氣體供給量設為Q(kg/sec)、所述反應爐的內部容積設為V(m³)時，以使得值Q×u²/V的合計Σ(Q×u²/V)為2500(kg/m·sec³)以上的方式設定所述原料氣體供給噴嘴各自的u和Q的值。

2.根據權利要求1所述的多晶硅制造用原料氣體的供給方法，其中，

設置在所述反應爐中的所述一個以上原料氣體供給噴嘴都設置在如下假想同心圓的內側，該假想同心圓是在將所述反應爐的底板的面積設為S₀時在該底板的中央部具有中心且面積S為S₀/2的假想同心圓。

3.根據權利要求1或2所述的多晶硅制造用原料氣體的供給方法，其中，

將所述在0.25MPa～0.9MPa的反應壓力下進行多晶硅的析出反應時的反應溫度設定在980℃～1150℃的范圍。

4.根據權利要求3所述的多晶硅制造用原料氣體的供給方法，其中，

在以使得所述合計Σ(Q×u²/V)為2500(kg/m·sec³)以上的方式得到所述原料氣體流速u時，將供給至所述原料氣體供給噴嘴的原料氣體壓力設定為1MPa～2MPa。

5.根據權利要求4所述的多晶硅制造用原料氣體的供給方法，其中，

所述1MPa～2MPa的原料氣體壓力的設定基于由原料氣體壓縮機提供的壓縮升壓或者液體原料在高溫下的汽化中的至少一者來進行。

6.一種多晶硅，其是使由根據權利要求1～5中任一項所述的方法供給的多晶硅制造用原料氣體析出而得到。