[發明專利]光纖以及使用光纖的光纖激光裝置

在審

• 申請號: 201380053864.3
• 申請日: 2013-09-25
• 公開（公告）號: CN104718474A
• 公開（公告）日: 2015-06-17
• 發明（設計）人: 柏木正浩
• 申請（專利權）人: 株式會社藤倉
• 主分類號: G02B6/036
• 分類號: G02B6/036;G02B6/024;H01S3/067
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李洋;舒艷君

1.一種光纖，其是至少以LP01模以及LP02模傳播規定波長的光的光纖，其特征在于，

在包層中的傳播所述規定波長的光的導波區域的至少一部分、以及纖芯中的所述LP01模的光的強度比所述LP02模的光的強度大的區域，分別添加使楊氏模量變化的摻雜劑，

所述包層的所述導波區域的至少一部分的楊氏模量，比所述纖芯中的所述LP01模的光的強度比所述LP02模的光的強度大的區域的楊氏模量小。

2.根據權利要求1所述的光纖，其特征在于，

在所述包層的全部的所述導波區域添加使楊氏模量變化的摻雜劑，

所述包層的全部的所述導波區域的楊氏模量，比所述纖芯中的所述LP01模的光的強度比所述LP02模的光的強度大的區域的楊氏模量小。

3.根據權利要求1或2所述的光纖，其特征在于，

所述包層的所述導波區域中的、楊氏模量比所述LP01模的光的強度大于所述LP02模的光的強度的區域的楊氏模量小的區域的楊氏模量，比所述纖芯的所述LP02模的光的強度大于所述LP01模的光的強度的區域中的、較所述LP01模的光的強度大于所述LP02模的光的強度的區域更靠外周側的區域的楊氏模量小。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的光纖，其特征在于，

所述包層的所述導波區域中的、楊氏模量比所述LP01模的光的強度大于所述LP02模的光的強度的區域的楊氏模量小的的區域的楊氏模量，比所述包層的較所述導波區域更靠外周側的區域的楊氏模量小。

5.根據權利要求1～4中任一項所述的光纖，其特征在于，

所述包層的折射率在徑向上保持恒定。

6.根據權利要求1～5中任一項所述的光纖，其特征在于，

在所述包層的所述導波區域中的、楊氏模量比所述LP01模的光的強度大于所述LP02模的光的強度的區域的楊氏模量小的區域，共添加有使折射率降低并且使楊氏模量減小的摻雜劑、和使折射率增大并且使楊氏模量減小的摻雜劑。

7.根據權利要求1～6中任一項所述的光纖，其特征在于，

在所述纖芯添加受激發射出所述規定波長的光的活性元素。

8.根據權利要求7所述的光纖，其特征在于，

在所述包層內設置有隔著所述纖芯的一對應力施加部。

9.一種光纖激光裝置，其特征在于，具備：

權利要求7或8所述的光纖；

種子光源，其射出要入射于所述纖芯的所述規定波長的種子光；以及

激勵光源，其將激勵所述活性元素的激勵光射出。

10.根據權利要求9所述的光纖激光裝置，其特征在于，

所述種子光僅激勵所述光纖的軸對稱的模。

11.一種光纖激光裝置，其特征在于，具備：

權利要求7或8所述的光纖；

激勵光源，其將激勵所述活性元素的激勵光射出；

第一FBG，其設置于所述光纖的一側，并將由所述激勵光激勵的所述活性元素所釋放的光中的、所述規定波長的光反射；以及

第二FBG，其設置于所述光纖的另一側，并將波長與所述第一FBG所反射的光相同的光以比所述第一FBG低的反射率反射。