[發明專利]鉭濺射靶及其制造方法有效
| 申請號： | 201380053775.9 | 申請日： | 2013-12-06 |
| 公開（公告）號： | CN105431565B | 公開（公告）日： | 2018-06-05 |
| 發明（設計）人： | 仙田真一郎;永津光太郎 | 申請（專利權）人： | 吉坤日礦日石金屬株式會社 |
| 主分類號： | C23C14/34 | 分類號： | C23C14/34;C23C14/14;H01L21/285 |
| 代理公司： | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德駿 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 鉭濺射靶 等離子體 取向率 放電電壓 晶體取向 濺射面 鉭靶 制造 | ||
1.一種鉭濺射靶，其特征在于，在鉭濺射靶的濺射面中，(200)面的取向率大于70％，且(222)面的取向率為9.9％以上且30％以下，
所述(200)面的取向率由下式計算：
{[通過X射線衍射法得到的(200)的測定強度/(200)的JCPDS強度]/Σ(通過X射線衍射法得到的各面的測定強度/各面的JCPDS強度)}×100％；
所述(222)面的取向率由下式計算：
{[通過X射線衍射法得到的(222)的測定強度/(222)的JCPDS強度]/Σ(通過X射線衍射法得到的各面的測定強度/各面的JCPDS強度)}×100％。
2.如權利要求1所述的鉭濺射靶，其特征在于，在鉭濺射靶的濺射面中，(200)面的取向率為80％以上，且(222)面的取向率為9.9％以上且20％以下。
3.一種擴散阻擋層用薄膜，其通過使用權利要求1～2中任一項所述的濺射靶而形成。
4.一種半導體器件，其使用了權利要求3所述的擴散阻擋層用薄膜。
5.一種鉭濺射靶的制造方法，其特征在于，對經熔煉和鑄造的鉭錠進行鍛造和再結晶退火，然后進行軋制和熱處理，從而形成在靶的濺射面中(200)面的取向率大于70％且(222)面的取向率為9.9％以上且30％以下的晶體組織，
所述(200)面的取向率由下式計算：
{[通過X射線衍射法得到的(200)的測定強度/(200)的JCPDS強度]/Σ(通過X射線衍射法得到的各面的測定強度/各面的JCPDS強度)}×100％；
所述(222)面的取向率由下式計算：
{[通過X射線衍射法得到的(222)的測定強度/(222)的JCPDS強度]/Σ(通過X射線衍射法得到的各面的測定強度/各面的JCPDS強度)}×100％。
6.如權利要求5所述的鉭濺射靶的制造方法，其特征在于，對經熔煉和鑄造的鉭錠進行鍛造和再結晶退火，然后進行軋制和熱處理，從而形成在靶的濺射面中(200)面的取向率為80％以上且(222)面的取向率為9.9％以上且20％以下的晶體組織。
7.如權利要求5～6中任一項所述的鉭濺射靶的制造方法，其特征在于，使用軋輥直徑500mm以下的軋輥，在軋制速度10m/分鐘以上、壓下率大于80％的條件下進行冷軋。
8.如權利要求5～6中任一項所述的鉭濺射靶的制造方法，其特征在于，在900℃～1400℃的溫度下進行熱處理。
9.如權利要求5～6中任一項所述的鉭濺射靶的制造方法，其特征在于，軋制和熱處理后，通過切削、拋光進行表面精加工。
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