[發明專利]納米碳膜的制造方法及納米碳膜

有效

• 申請號: 201380053732.0
• 申請日: 2013-08-07
• 公開（公告）號: CN104736477B
• 公開（公告）日: 2016-11-02
• 發明（設計）人: 川合信;久保田芳宏
• 申請（專利權）人: 信越化學工業株式會社
• 主分類號: C01B31/02
• 分類號: C01B31/02
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 李英

1.使用混合基板的納米碳膜的制造方法，其特征在于，自單晶的碳化硅基板的表面注入離子而形成離子注入區域，將所述碳化硅基板的經離子注入的表面與基底基板的表面貼合，隨后在所述離子注入區域使碳化硅基板剝離而制造在基底基板上轉印有包含單晶的碳化硅的薄膜的混合基板，接著加熱該混合基板而使硅原子從所述包含單晶的碳化硅的薄膜升華，得到納米碳膜。

2.如權利要求1所述的納米碳膜的制造方法，其特征在于，所述基底基板包括單晶硅、藍寶石、多晶硅、氧化鋁、氮化硅、氮化鋁或者金剛石。

3.如權利要求1或2所述的納米碳膜的制造方法，其特征在于，在所述碳化硅基板和/或基底基板的至少進行所述貼合的表面，形成選自氧化硅、單晶硅、多晶硅、非晶硅、氧化鋁、氮化硅、碳化硅、氮化鋁和金剛石中的至少一種膜。

4.如權利要求1～3任一項所述的納米碳膜的制造方法，其特征在于，所述碳化硅基板的晶體結構為4H-SiC、6H-SiC或3C-SiC。

5.如權利要求1～4任一項所述的納米碳膜的制造方法，其特征在于，所述離子注入區域的形成通過自所述碳化硅基板的表面注入至少包含氫離子的離子來進行。

6.如權利要求1～5任一項所述的納米碳膜的制造方法，其特征在于，對所述碳化硅基板和/或基底基板的進行貼合的表面進行選自離子束處理、等離子體活化處理、臭氧處理、酸洗凈處理和堿洗凈處理中的至少一種的表面活化處理，隨后進行所述貼合。

7.如權利要求1～6任一項所述的納米碳膜的制造方法，其特征在于，在將所述碳化硅基板與基底基板貼合之后，對經離子注入的部分給予熱能、機械能或光能，在所述離子注入區域使其剝離。

8.如權利要求1～7任一項所述的納米碳膜的制造方法，其特征在于，所述碳化硅基板與基底基板的貼合包括150℃以上的加熱處理。

9.如權利要求1～8任一項所述的納米碳膜的制造方法，其特征在于，通過將所述混合基板加熱至1100℃以上使硅原子升華。

10.如權利要求1～9任一項所述的納米碳膜的制造方法，其特征在于，通過在減壓下對所述混合基板進行加熱使硅原子升華。

11.如權利要求1～10任一項所述的納米碳膜的制造方法，其特征在于，所述納米碳膜包括碳納米管、石墨烯或富勒烯。

12.如權利要求1～11任一項所述的納米碳膜的制造方法，其特征在于，將進行所述剝離后的碳化硅基板再次用于納米碳膜的制造之用。

13.納米碳膜，其通過權利要求1～12任一項所述的納米碳膜的制造方法制造而成。