[發明專利]用于讀取電阻性隨機訪問存儲器(RRAM)單元的系統和方法有效
| 申請號: | 201380053672.2 | 申請日: | 2013-10-14 |
| 公開(公告)號: | CN104718576A | 公開(公告)日: | 2015-06-17 |
| 發明(設計)人: | P·蘇塔爾德雅;A·吳;常潤滋;W·李;P·李 | 申請(專利權)人: | 馬維爾國際貿易有限公司 |
| 主分類號: | G11C11/16 | 分類號: | G11C11/16;G11C13/00;G11C7/06 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 酆迅 |
| 地址: | 巴巴多斯*** | 國省代碼: | 巴巴多斯;BB |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 讀取 電阻 隨機 訪問 存儲器 rram 單元 系統 方法 | ||
1.一種系統,包括:
電阻性隨機訪問存儲器單元,被連接至字線和位線;
預充電電路,被配置為將所述位線預充電至第一電壓并且所述字線不被選擇;
驅動器電路,被配置為在所述位線被充電至所述第一電壓之后的第一時間處選擇所述字線;
比較器,被配置為將在所述位線上的第二電壓與被供應至所述比較器的第三電壓比較并且基于所述比較生成輸出;
鎖存器,被配置為將所述比較器的所述輸出鎖存并且生成鎖存的輸出;以及
脈沖生成器,被配置為在所述第一時間之后的時延之后生成脈沖以對所述鎖存器計時,從而將所述比較器的所述輸出鎖存并且生成鎖存的輸出,
其中所鎖存的輸出指示所述電阻性隨機訪問存儲器單元的狀態。
2.根據權利要求1所述的系統,其中所述時延是可編程的并且基于以下因素被選擇:所述位線的寄生電容、對應于所述電阻性隨機訪問存儲器單元的電阻元件的高阻態和低阻態的電阻值、以及所述電阻性隨機訪問存儲器單元的開關元件的特性。
3.根據權利要求1所述的系統,其中所述時延是可編程的并且基于工藝變化被選擇。
4.根據權利要求1所述的系統,其中所述時延是可編程的,并且在包括所述電阻性隨機訪問存儲器單元的存儲器陣列的制造期間被選擇,或者響應于包括所述電阻性隨機訪問存儲器單元的所述存儲器陣列的電源被接通而被選擇,或者兩者兼具而被選擇。
5.根據權利要求1所述的系統,其中所述比較器包括反相器,并且其中所述第一電壓和所述第三電壓是:
在包括所述電阻性隨機訪問存儲器單元的存儲器陣列的電源電壓與參考電壓之間可調節的;
小于損壞所述電阻性隨機訪問存儲器單元的電壓;以及
被選擇以允許感應所述電阻性隨機訪問存儲器單元的電阻元件的高阻態和低阻態。
6.根據權利要求1所述的系統,其中:
所述比較器包括反相器,
所述反相器包括具有選擇的閾值電壓的晶體管,以及
所選擇的閾值電壓允許將包括所述電阻性隨機訪問存儲器單元的存儲器陣列的電源電壓減小至小于選擇的值以節省功率,以及將所述第三電壓降低至小于所述電源電壓。
7.根據權利要求1所述的系統,其中:
所述比較器包括反相器,
所述反相器包括具有選擇的閾值電壓的晶體管,以及
所選擇的閾值電壓允許將包括所述電阻性隨機訪問存儲器單元的存儲器陣列的電源電壓減小至小于所選擇的閾值電壓,同時允許感應所述電阻性隨機訪問存儲器單元的電阻元件的高阻態和低阻態。
8.一種系統,包括:
電阻性隨機訪問存儲器單元,被連接至字線和位線;
電流源,被配置為提供流經所述位線的電流;
驅動器電路,被配置為選擇所述字線;
比較器,被配置為將在所述位線上的第一電壓與被供應至所述比較器的第二電壓比較并且基于所述比較生成輸出;
鎖存器,被配置為將所述比較器的所述輸出鎖存并且生成鎖存的輸出;以及
脈沖生成器,被配置為在時延之后生成脈沖,從而將所述比較器的所述輸出鎖存并且生成鎖存的輸出,
其中所述時延大于所述第一電壓的穩定時間,并且
其中所鎖存的輸出指示所述電阻性隨機訪問存儲器單元的狀態。
9.根據權利要求8所述的系統,其中所述電流、所述第二電壓、或所述兩者是可編程的并且被選擇以允許所述比較器區分所述電阻性隨機訪問存儲器單元的電阻元件的高阻態與低阻態。
10.根據權利要求8所述的系統,其中所述電流是可編程的并且基于工藝變化被選擇。
11.根據權利要求8所述的系統,其中所述電流、所述第二電壓、或所述兩者是可編程的,并且在包括所述電阻性隨機訪問存儲器單元的存儲器陣列的制造期間被選擇,或者響應于包括所述電阻性隨機訪問存儲器單元的所述存儲器陣列的電源被接通而被選擇,或者兩者兼具而被選擇。
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