[發明專利]具有改善性能的發光晶體管

在審

• 申請號: 201380053654.4
• 申請日: 2013-08-23
• 公開（公告）號: CN104718638A
• 公開（公告）日: 2015-06-17
• 發明（設計）人: A·菲奇提
• 申請（專利權）人: 破立紀元有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52
• 代理公司: 北京邦信陽專利商標代理有限公司 11012
• 代理人: 尹吉偉

1.一種發光晶體管器件，其包括：

襯底；

柵電極；

通道層，所述通道層包括一個或多個有機子層，所述一個或多個有機子層包括：

第一子層，所述第一子層包括電子傳輸半導體材料，

第二子層，所述第二子層包括空穴傳輸半導體材料，以及

第三子層，所述第三子層包括電致發光半導體材料并且位于所述第一子層和所述第二子層之間；

柵絕緣層，所述柵絕緣層位于所述柵電極和所述通道層之間；以及

空穴電極和電子電極，所述空穴電極和所述電子電極以限定在兩者之間的通道區域的長度(L)的平面距離相互間隔開，所述空穴電極和所述電子電極獨立地與所述通道層的所述第一子層和所述第三子層中的一個接觸；

其中所述通道層還包括以下元件中的至少一個：第一電絕緣元件，所述第一電絕緣元件位于所述空穴電極和所述通道層的所述第一子層和所述第三子層中的另一個之間，以及第二電絕緣元件，所述第二電絕緣元件在所述電子電極和所述通道層的所述第一子層和所述第三子層中的另一個之間，其中所述第一電絕緣元件和所述第二電絕緣元件不單獨地和組合地延伸所述通道區域的整個長度。

2.如權利要求1所述的器件，其中所述第一電絕緣元件和/或所述第二電絕緣元件與所述第三子層接觸。

3.如權利要求1所述的器件，其中所述空穴電極和所述電子電極位于不同的平面上。

4.如權利要求1所述的器件，其中所述電子電極與所述第一子層接觸并且所述空穴電極與所述第二子層接觸。

5.如權利要求4所述的器件，其中所述第一電絕緣元件和所述第二電絕緣元件均位于所述第三子層內。

6.如權利要求4所述的器件，其中所述第一電絕緣元件位于所述第一子層和所述第三子層之間的界面處，并且所述第二電絕緣元件位于所述第二子層和所述第三子層之間的界面處。

7.如權利要求6所述的器件，其中所述電子電極與所述第一電絕緣元件接觸。

8.如權利要求7所述的器件，其中所述電子電極位于所述第一子層內。

9.如權利要求8所述的器件，其中所述空穴電極與所述第二電絕緣元件接觸。

10.如權利要求1所述的器件，其中所述空穴電極和所述電子電極位于相同的平面上。

11.如權利要求10所述的器件，其中所述第一電絕緣元件和所述第二電絕緣元件均位于所述第一子層和所述第三子層之間的界面處。

12.如權利要求10所述的器件，其中所述第一電絕緣元件和所述第二電絕緣元件均位于所述第二子層和所述第三子層之間的界面處。

13.如權利要求1所述的器件，其中所述第一電絕緣元件、所述第二電絕緣元件和所述電致發光半導體材料共同包括所述第三子層。

14.如權利要求1所述的器件，其還包括電子注入層，所述電子注入層沉積于所述電子傳輸半導體材料和所述電子電極之間。

15.如權利要求1所述的器件，其還包括空穴注入層，所述空穴注入層沉積于所述空穴傳輸半導體材料和所述空穴電極之間。

16.如權利要求1所述的器件，其還包括鈍化層，所述鈍化層覆蓋所述通道層的頂面。

17.如權利要求1所述的器件，其中所述襯底包括沉積在所述襯底的表面上的表面改性材料。

18.如權利要求1所述的器件，其中所述柵電極包括與L相同的長度(L_G)，且其中所述柵電極的邊緣與所述空穴電極的邊緣和所述電子電極的邊緣對齊。

19.如權利要求1所述的器件，其中所述柵電極包括大于L的長度(LG)，且其中所述柵電極的至少一個邊緣與所述空穴電極和所述電子電極中的一個重疊。

20.一種用于產生圖像的光電器件，其中所述光電器件包括彼此相互連接并且沉積于襯底上的多個相同的或不同的根據權利要求1-19中任一項所述的發光晶體管器件。