[發(fā)明專利]形成存儲器單元和磁性存儲器單元結(jié)構(gòu)的陣列的方法，以及相關(guān)的存儲器單元和存儲器單元結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380053573.4
• 申請日: 2013-09-06
• 公開（公告）號: CN104718614B
• 公開（公告）日: 2017-11-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 古爾特杰·S·桑胡;維托·庫拉;韋恩·I·肯尼
• 申請（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L43/12
• 分類號: H01L43/12;H01L43/08;H01L27/22
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11287
• 代理人: 沈錦華

1.一種形成存儲器單元的方法，所述方法包含：

僅平行于x軸而圖案化前驅(qū)物結(jié)構(gòu)，所述前驅(qū)物結(jié)構(gòu)包括包含磁性材料的下部區(qū)段、包含另一磁性材料的上部區(qū)段和在所述下部區(qū)段與所述上部區(qū)段之間的非磁性材料，所述圖案化包括平行于所述x軸導(dǎo)引離子束以形成伸長階式特征結(jié)構(gòu)，所述伸長階式特征結(jié)構(gòu)包含由所述下部區(qū)段形成且界定下部特征寬度的下部伸長特征區(qū)段以及由所述上部區(qū)段形成且界定上部特征寬度的上部伸長特征區(qū)段，所述上部特征寬度小于所述下部特征寬度；以及

在僅平行于所述x軸而圖案化所述前驅(qū)物結(jié)構(gòu)之后，僅平行于大約垂直于所述x軸的y軸而圖案化所述伸長階式特征結(jié)構(gòu)，其包括平行于所述y軸導(dǎo)引離子束以形成至少部分離散階式特征結(jié)構(gòu)，所述至少部分離散階式特征結(jié)構(gòu)包含由所述上部區(qū)段形成的上部離散特征區(qū)段。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中平行于所述x軸導(dǎo)引離子束以形成伸長階式特征結(jié)構(gòu)包含：平行于所述x軸而離子研磨所述前驅(qū)物結(jié)構(gòu)的所述上部區(qū)段以形成所述上部伸長特征區(qū)段。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中平行于所述x軸導(dǎo)引離子束以形成伸長階式特征結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包含：平行于所述x軸而離子研磨所述前驅(qū)物結(jié)構(gòu)的所述非磁性材料和所述下部區(qū)段以形成所述下部伸長特征區(qū)段。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中平行于所述y軸導(dǎo)引離子束以形成至少部分離散階式特征結(jié)構(gòu)包含：在不離子研磨穿過所述非磁性材料的情況下平行于所述y軸而離子研磨所述上部伸長特征區(qū)段。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中平行于所述y軸導(dǎo)引離子束以形成至少部分離散階式特征結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包含：平行于所述y軸而離子研磨所述非磁性材料和所述下部伸長特征區(qū)段以形成包含所述上部離散特征區(qū)段和下部離散特征區(qū)段的離散階式特征結(jié)構(gòu)，所述上部離散特征區(qū)段具有所述上部特征寬度，且所述下部離散特征區(qū)段具有所述下部特征寬度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中平行于所述x軸導(dǎo)引離子束以形成伸長階式特征結(jié)構(gòu)包含：

平行于所述x軸而離子研磨所述前驅(qū)物結(jié)構(gòu)的所述上部區(qū)段、所述非磁性材料和所述下部區(qū)段以形成界定所述下部特征寬度的伸長前驅(qū)物特征；以及

平行于所述x軸而離子研磨所述伸長前驅(qū)物特征的上部部分以形成包含所述下部伸長特征區(qū)段和所述上部伸長特征區(qū)段的所述伸長階式特征結(jié)構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中平行于所述y軸導(dǎo)引離子束以形成至少部分離散階式特征結(jié)構(gòu)包含：

將所述伸長階式特征結(jié)構(gòu)離子研磨到所述下部區(qū)段下方的基底材料以形成界定下部特征長度的離散前驅(qū)物特征；以及

將所述離散前驅(qū)物特征的上部部分離子研磨到所述非磁性材料以形成包含所述上部離散特征區(qū)段和下部離散特征區(qū)段的所述至少部分離散階式特征結(jié)構(gòu)，所述上部離散特征區(qū)段具有所述上部特征寬度和上部特征長度，所述下部離散特征區(qū)段具有所述下部特征寬度和所述下部特征長度。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：

平行于所述x軸導(dǎo)引離子束以形成伸長階式特征結(jié)構(gòu)包含：

離子研磨所述上部區(qū)段以形成界定所述上部特征寬度的所述上部伸長特征區(qū)段；

在所述上部伸長特征區(qū)段上形成間隔物以界定較寬特征圖案；以及

將所述較寬特征圖案轉(zhuǎn)印到所述非磁性材料和所述下部區(qū)段以形成所述下部伸長特征區(qū)段；且

平行于所述y軸導(dǎo)引離子束以形成至少部分離散階式特征結(jié)構(gòu)包含：

離子研磨所述上部伸長特征區(qū)段以形成所述上部離散特征區(qū)段；

在所述上部離散特征區(qū)段上形成另一間隔物以界定另一較寬特征圖案；以及

將所述另一較寬特征圖案轉(zhuǎn)印到所述下部伸長特征區(qū)段以形成下部離散特征區(qū)段。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中：

離子研磨所述上部伸長特征區(qū)段包含離子研磨所述上部伸長特征區(qū)段以形成所述上部離散特征區(qū)段，所述上部離散特征區(qū)段包含磁性存儲器單元的自由區(qū)域，所述自由區(qū)域包含所述另一磁性材料；且

將所述另一較寬特征圖案轉(zhuǎn)印到所述下部伸長特征區(qū)段包含將所述另一較寬特征圖案轉(zhuǎn)印到所述下部伸長特征區(qū)段以形成所述下部離散特征區(qū)段，所述下部離散特征區(qū)段包含所述磁性存儲器單元的固定區(qū)域，所述固定區(qū)域包含所述磁性材料。