[發明專利]先進的操作晶片剝離方法

有效

• 申請號: 201380053216.8
• 申請日: 2013-09-20
• 公開（公告）號: CN104718605B
• 公開（公告）日: 2018-05-18
• 發明（設計）人: P·S·安德里;R·A·巴德;J·U·尼克博克;R·E·特里辛斯基;D·C·小拉圖利普
• 申請（專利權）人: 國際商業機器公司
• 主分類號: H01L21/30
• 分類號: H01L21/30;H01L21/46;H01L33/40
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 賀月嬌;于靜

1.一種加工半導體晶片的方法，包括：

將對可見光透明的釋放層施加到透明操作體；

在半導體晶片與其上施加有所述釋放層的所述透明操作體之間施加不同于所述釋放層的粘合層；

使用所述粘合層將所述半導體晶片接合到所述透明操作體；

在所述半導體晶片被接合到所述透明操作體時加工所述半導體晶片；

通過使用激光器透過所述透明操作體照射所述釋放層來燒蝕所述釋放層；以及

從所述透明操作體去除所述半導體晶片，

所述方法還包括：

在所述半導體晶片的所述加工之后且在燒蝕所述釋放層之前，透過所述透明操作體和所述釋放層檢查所述半導體晶片；以及

當所述檢查發現可矯正的缺陷時，在燒蝕所述釋放層之前對所述半導體晶片進行修復。

2.如權利要求1所述的方法，其中，所述釋放層強烈吸收從所述激光器輻射的一頻率的光。

3.如權利要求1所述的方法，其中，從所述激光器輻射的光是紫外光。

4.如權利要求3所述的方法，其中，從所述激光器輻射的光具有350-360nm的波長。

5.如權利要求3所述的方法，其中，用于燒蝕所述釋放層的所述激光器是YAG激光器或XeF準分子激光器。

6.如權利要求1所述的方法，其中，所述粘合層被施加到所述半導體晶片。

7.如權利要求6所述的方法，其中，在將所述半導體晶片接合到其上施加有所述釋放層的所述透明操作體之前，固化所述釋放層。

8.如權利要求1所述的方法，其中，所述粘合層被施加到所述釋放層。

9.如權利要求8所述的方法，其中，在施加所述粘合層之前，固化所述釋放層。

10.如權利要求1所述的方法，其中，用于燒蝕所述釋放層的所述激光器是二極管泵浦的固態(DPSS)激光器。

11.如權利要求1所述的方法，其中，用于燒蝕所述釋放層的所述激光器是準分子激光器。

12.如權利要求1所述的方法，其中，用于燒蝕所述釋放層的所述激光器是與準分子激光器相比相對低功率的激光器。

13.如權利要求12所述的方法，其中，所述相對低功率在5瓦到30瓦的范圍內。

14.如權利要求1所述的方法，其中，在所述半導體晶片被接合到所述透明操作體時加工所述半導體晶片包括減薄所述半導體晶片。

15.如權利要求1所述的方法，其中，在所述半導體晶片被接合到所述透明操作體時加工所述半導體晶片包括產生一個或多個硅通孔(TSV)。

16.如權利要求1所述的方法，還包括：在從所述透明操作體去除所述半導體晶片之后，將所述半導體晶片添加到3D疊層。

17.一種加工半導體晶片的方法，包括：

向透明操作體施加強烈吸收紫外光并且對可見光透明的釋放層；

在所述釋放層與半導體晶片之間施加粘合層；

使用所述粘合層將所述半導體晶片接合到所述透明操作體；

在所述半導體晶片被接合到所述透明操作體時加工所述半導體晶片；

通過使用紫外光透過所述透明操作體照射所述釋放層來燒蝕所述釋放層；以及

從所述透明操作體去除所述半導體晶片，

所述方法還包括：

在所述半導體晶片的所述加工之后并且在燒蝕所述釋放層之前，透過所述透明操作體和所述釋放層檢查所述半導體晶片；以及

當所述檢查發現可矯正的缺陷時，在燒蝕所述釋放層之前對所述半導體晶片進行修復。