[發(fā)明專利]平面光學(xué)元件、傳感器元件及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380052754.5 | 申請日： | 2013-08-02 |
| 公開（公告）號： | CN104704408B | 公開（公告）日： | 2018-02-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | W·沙德 | 申請（專利權(quán)）人： | 弗勞恩霍夫應(yīng)用研究促進協(xié)會 |
| 主分類號： | G02B6/138 | 分類號： | G02B6/138 |
| 代理公司： | 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司44205 | 代理人： | 譚英強 |
| 地址： | 德國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 平面 光學(xué) 元件 傳感器 以其 制造 方法 | ||
1.一種平面光學(xué)元件(1)，具有至少一個光子組件(4)，該光子組件(4)排列在至少一個基質(zhì)(2)上，所述基質(zhì)(2)含有至少一種聚合物或者由至少一種聚合物構(gòu)成，其特征在于：該基質(zhì)(2)包括至少一個第一薄膜層(21)和第二薄膜層(22)，該第一薄膜層(21)具有第一側(cè)(211)以及相對第二側(cè)(212)，該第二薄膜層(22)具有第一側(cè)(221)以及相對第二側(cè)(222)，其中第二薄膜層(22)的第一側(cè)(221)排列在第一薄膜層(21)的第二側(cè)(212)之上，并且至少第二薄膜層(22)至少在子區(qū)域(225)內(nèi)包含有納米線(3)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平面光學(xué)元件，其特征在于：納米線(3)包含氧化鋅和/或碳納米管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的平面光學(xué)元件，其特征在于：該納米線(3)直徑為100nm到1000nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平面光學(xué)元件，其特征在于：該納米線的長度為1μm到10μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平面光學(xué)元件，其特征在于：該第一薄膜層(21)還包括納米顆粒。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的平面光學(xué)元件，其特征在于：該納米顆粒包含TiO2和/或ZnO和/或SiO2。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平面光學(xué)元件，其特征在于：第一薄膜層的光子組件(4)從至少一個波導(dǎo)(41)和/或至少一個耦合器(42)和/或至少一個陣列波導(dǎo)光柵(43)和/或至少一個光纖布拉格光柵(44)和/或至少一個光纖傳感器(45)中選擇。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平面光學(xué)元件，還包括第三薄膜層(23)，該第三薄膜層(23)具有第一側(cè)(231)及相對第二側(cè)(232)，其中該第三薄膜層(23)至少在子區(qū)域(225)內(nèi)含有納米線(3)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平面光學(xué)元件，其特征在于：該納米線(3)具有預(yù)置方向。
10.一種傳感器元件，包含至少一個波導(dǎo)(41)，該波導(dǎo)(41)包括至少一個由第一材料構(gòu)成的芯(411)和鍍層(412)，該第一材料具有第一折射率(n1)，而該鍍層(412)環(huán)繞該芯，并由具有第二折射率(n2)的第二材料制成，其中在該芯(411)中嵌入至少一個光纖布拉格光柵(44)，其特征在于：傳感器元件排列在基質(zhì)(2)上，該基質(zhì)(2)包括或由至少一個聚合物構(gòu)成，并且該基質(zhì)(2)具有至少一個第一薄膜層(21)和第二薄膜層(22)，該第一薄膜層(21)具有第一側(cè)(211)和相對第二側(cè)(212)，而該第二薄膜層(22)具有第一側(cè)(221)和相對第二側(cè)(222)，其中該第二薄膜層(22)的第一側(cè)(221)排列在第一薄膜層(21)的第二側(cè)(212)之上，該鍍層(412)是第一薄膜層(21)的一部分，而芯(411)插入到第一薄膜層(21)，其中至少第二薄膜層(22)至少在子區(qū)域(225)內(nèi)含有納米線(3)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的傳感器元件，其特征在于：此外至少一個其他波導(dǎo)(41)和/或至少一個耦合器(42)和/或至少一個陣列波導(dǎo)光柵(43)和/或至少一個光纖波導(dǎo)光柵(43)排列在第一薄膜層(21)。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的傳感器元件，其特征在于：該納米線(3)包含氧化鋅和/或碳納米管。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的傳感器元件，其特征在于：該納米線(3)直徑為100nm到1000nm。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的傳感器元件，其特征在于：該納米線的長度為1μm到10μm。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的傳感器元件，其特征在于：該第一薄膜層(21)還包括納米顆粒。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的傳感器元件，其特征在于：該納米顆粒包含TiO2和/或ZnO和/或SiO2。
17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的傳感器元件，還包括第三薄膜層(23)，該第三薄膜層(23)具有第一側(cè)(231)及相對第二側(cè)(232)，其中該第三薄膜層(23)至少在子區(qū)域(225)內(nèi)含有納米線(3)。
18.根據(jù)權(quán)利要求10所述的傳感器元件，其特征在于：該納米線(3)具有預(yù)置方向。
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