[發明專利]包括用于嵌入和/或隔開半導體裸芯的獨立膜層的半導體器件有效
| 申請號: | 201380052391.5 | 申請日: | 2013-01-09 |
| 公開(公告)號: | CN104769713B | 公開(公告)日: | 2017-12-12 |
| 發明(設計)人: | 葉寧;邱進添;S.厄帕德亞尤拉;付鵬;呂忠;俞志明;Y.張;王麗;P.K.雷;王偉利;邰恩勇;K.H.王;莫金理 | 申請(專利權)人: | 晟碟半導體(上海)有限公司;晟碟信息科技(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/00 | 分類號: | H01L25/00;H01L23/48 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所11105 | 代理人: | 萬里晴 |
| 地址: | 上海市閔*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 包括 用于 嵌入 隔開 半導體 獨立 半導體器件 | ||
1.一種半導體器件,包括:
基板:
表面安裝到所述基板的電組件;
在所述基板上形成的膜層,所述膜層與所述基板上的電組件隔開;以及
至少一個半導體裸芯,包括一個半導體裸芯,其具有將所述半導體裸芯附著到所述膜層的裸芯粘附粘合劑。
2.根據權利要求1所述的半導體器件,其中,所述膜層是可B階段環氧樹脂。
3.根據權利要求1所述的半導體器件,其中,所述膜層是可A階段環氧樹脂。
4.根據權利要求1所述的半導體器件,其中,所述膜層在所述基板上形成的形狀和位置與所述基板上的半導體裸芯的形狀和位置匹配。
5.根據權利要求1所述的半導體器件,其中,所述電組件是控制器裸芯和無源組件中的一種。
6.一種形成半導體器件的方法,包括如下步驟:
(a)將電組件安裝到基板;
(b)將膜層施加到所述基板,所述電組件至少部分地嵌入到所述膜層內;
(c)在所述步驟(b)中將所述電組件至少部分地嵌入到所述膜層內之后,將膜層固化到至少B階段;
(d)將半導體裸芯置于所述膜層上;以及
(e)將所述半導體裸芯附著到所述膜層,
其中,所述步驟(b)包括將模板置于所述基板上方的步驟,所述模板包括定義基板上的膜層的形狀和位置的開口,所述膜層被施加在所述模板上且在所述開口內。
7.根據權利要求6所述的方法,其中,所述步驟(b)包括在所述基板上印刷液體或膏體環氧樹脂的步驟。
8.根據權利要求6所述的方法,其中,所述步驟(b)包括通過薄膜沉積和噴射分配中的一種在所述基板上沉積液體或膏體環氧樹脂的步驟。
9.根據權利要求6所述的方法,其中所述步驟(b)還包括使用橡膠輥使得液體或膏體環氧樹脂進入所述模板的開口內。
10.根據權利要求6所述的方法,其中所述步驟(c)包括將所述膜層固化到B階段和將所述半導體裸芯置于所述B階段的環氧樹脂上的步驟。
11.根據權利要求10所述的方法,還包括在將所述半導體裸芯置于所述膜層上之后將所述膜層固化到C階段的步驟。
12.根據權利要求11所述的方法,其中,所述將所述膜層固化到C階段的步驟作為將半導體裸芯附著到所述膜層的步驟(e)的一部分進行。
13.根據權利要求6所述的方法,其中所述步驟(c)包括將所述膜層固化到C階段和將所述半導體裸芯置于所述C階段的環氧樹脂上的步驟。
14.根據權利要求13所述的方法,其中,所述步驟(e)包括用半導體裸芯的表面上形成的與所述膜層接觸的裸芯粘附粘合劑來將半導體裸芯附著到所述膜層的步驟。
15.一種形成半導體器件的方法,包括如下步驟:
(a)將控制器裸芯安裝到基板上;
(b)將A階段膜層施加到所述基板,所述控制器裸芯至少部分地嵌入到所述膜層內;
(c)在所述步驟(b)中將電組件至少部分地嵌入到所述膜層內之后,將膜層固化到C階段;
(d)將半導體裸芯置于所述膜層上,所述半導體裸芯包括在所述半導體裸芯和所述膜層之間的半導體裸芯的表面上的裸芯粘附粘合劑;以及
(e)通過固化所述裸芯粘附粘合劑層將所述半導體裸芯附著到所述膜層。
16.根據權利要求15所述的方法,其中,所述步驟(b)包括通過絲網印刷、薄膜沉積和噴射分配中的一種在所述基板上施加液體或膏體的步驟。
17.根據權利要求15所述的方法,其中,所述步驟(b)包括將模板置于所述基板上方的步驟,所述模板包括定義基板上的膜層的形狀和位置的開口,所述膜層被施加在所述模板上且在所述開口內。
18.根據權利要求17所述的方法,其中所述步驟(b)還包括使用橡膠輥使得液體或膏體進入所述模板的開口內。
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