[發明專利]包括嵌入式控制器裸芯的半導體器件和其制造方法

有效

• 申請號: 201380052380.7
• 申請日: 2013-01-28
• 公開（公告）號: CN104769712B
• 公開（公告）日: 2018-07-13
• 發明（設計）人: S.庫馬爾;邱進添;錢開友;俞志明
• 申請（專利權）人: 晟碟信息科技（上海）有限公司
• 主分類號: H01L25/00
• 分類號: H01L25/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 萬里晴

1.一種半導體器件，包括：

基板，包括介電層和在所述介電層上的導電層，所述導電層包括導電圖案，所述導電圖案包括電跡線和接觸墊；

在所述導電層上方形成的焊接掩膜層；

在所述基板中形成的腔體，其向下通過所述焊接掩膜層到所述基板的表面，其中所述焊接掩膜層形成在所述基板的表面上；

在所述腔體中安裝的第一半導體裸芯，其在所述介電層上電隔離，所述第一半導體裸芯包括裸芯鍵合墊；

在所述基板的接觸墊和所述第一半導體裸芯的裸芯鍵合墊之間形成的電跡線，以將所述第一半導體裸芯電連接到所述基板；以及

在所述基板上安裝的第二半導體裸芯，至少覆蓋所述腔體中的包括所述第一半導體裸芯的一部分。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括填充在所述腔體中在所述第一半導體裸芯的邊緣周圍的空間的介電材料。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一半導體裸芯是控制器裸芯。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第二半導體裸芯是存儲器裸芯。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述腔體的深度等于所述第一半導體裸芯的厚度。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述腔體的深度大于所述第一半導體裸芯的厚度。

7.一種半導體器件，包括：

包括接觸墊的基板；

在所述基板中形成的腔體，其向下通過焊接掩膜層到所述基板的表面，其中所述焊接掩膜層形成在所述基板的表面上；

在所述腔體中安裝的第一半導體裸芯，所述第一半導體裸芯包括裸芯鍵合墊；

在所述基板的接觸墊和所述第一半導體裸芯的裸芯鍵合墊之間形成的印刷電跡線，以將所述第一半導體裸芯電連接到所述基板；以及

在所述基板上安裝的第二半導體裸芯，至少覆蓋所述腔體中的包括所述第一半導體裸芯的一部分。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，還包括填充在所述腔體中在所述第一半導體裸芯的邊緣周圍的空間的介電材料。

9.根據權利要求7所述的半導體器件，其中，所述基板還包括所述焊接掩膜層，其中，所述腔體被所述焊接掩膜中的開口限定。

10.根據權利要求9所述的半導體器件，其中，所述焊接掩膜中的開口具有與所述第一半導體裸芯的足印相同的形狀。

11.根據權利要求7所述的半導體器件，其中，所述基板還包括在介電層上的導電材料的層，其中，所述腔體向下通過所述焊接掩膜層到電導電材料而形成。

12.根據權利要求7所述的半導體器件，其中，所述腔體的深度等于所述第一半導體裸芯的厚度。

13.根據權利要求7所述的半導體器件，其中，所述腔體的深度大于所述第一半導體裸芯的厚度。

14.一種半導體器件，包括：

包括接觸墊的基板；

在所述基板中形成的腔體，其向下通過焊接掩膜層到所述基板的表面，其中所述焊接掩膜層形成在所述基板的表面上；

在所述腔體中安裝的第一半導體裸芯，所述第一半導體裸芯包括裸芯鍵合墊；

電跡線和來自柔性膜的粘合劑，所述電跡線被施加在所述基板的接觸墊和所述第一半導體裸芯的裸芯鍵合墊之間，以將所述第一半導體裸芯電連接到所述基板；以及

在所述基板上安裝的第二半導體裸芯，至少覆蓋所述腔體中的包括所述第一半導體裸芯的一部分。

15.根據權利要求14所述的半導體器件，還包括填充在所述腔體中在所述第一半導體裸芯的邊緣周圍的空間的介電材料。