[發(fā)明專(zhuān)利]磁電傳感器和其制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201380052370.3 | 申請(qǐng)日: | 2013-10-07 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN104737316A | 公開(kāi)(公告)日: | 2015-06-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | A·皮奧拉;E·匡特 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 克里斯蒂安-阿爾伯特基爾大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L41/00 | 分類(lèi)號(hào): | H01L41/00;H01L41/047 |
| 代理公司: | 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人: | 鄧斐 |
| 地址: | 德國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 德國(guó);DE |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 磁電 傳感器 制造 方法 | ||
1.磁電(ME)傳感器,其包括由磁致伸縮層(12)、鐵電層(10)和介電載體層(14)構(gòu)成的層堆疊,其特征在于,
a.載體層(14)比鐵電層(10)厚,并且
b.載體層(14)設(shè)置在磁致伸縮層(12)和鐵電層(10)之間,并且
c.在鐵電層(10)上設(shè)置有電極配置結(jié)構(gòu)(18),該電極配置結(jié)構(gòu)構(gòu)造用于沿著層延展獲取信號(hào)電壓,其中,
d.電極配置結(jié)構(gòu)(18)的指間距大于鐵電層(10)的厚度。
2.按照權(quán)利要求1所述的ME傳感器,其特征在于,所述電極配置結(jié)構(gòu)(18)的指間距大于所述載體層(14)的厚度。
3.按照權(quán)利要求1或2所述的ME傳感器,其特征在于,所述載體層(14)由具有大于20GPa的彈性模量的材料構(gòu)成。
4.按照權(quán)利要求1、2或3所述的ME傳感器,其特征在于,所述載體層(14)由玻璃、優(yōu)選由二氧化硅、陶瓷或半導(dǎo)體、優(yōu)選由硅構(gòu)成。
5.按照上述權(quán)利要求之一所述的ME傳感器,其特征在于,所述鐵電層(10)由鋯鈦酸鉛(PZT)構(gòu)成。
6.按照上述權(quán)利要求之一所述的ME傳感器,其特征在于,所述磁致伸縮層(12)由非結(jié)晶磁性材料類(lèi)構(gòu)成。
7.用于制造按照上述權(quán)利要求之一所述的ME傳感器的方法,具有如下步驟:
a.將構(gòu)成鐵電層(10)的材料施加到介電基底(14)的第一平坦側(cè)上,
b.在溫度超過(guò)500℃時(shí)使材料結(jié)晶,同時(shí)構(gòu)成鐵電層(10),該鐵電層的厚度小于所述基底(14)的預(yù)先已知的厚度,
c.將構(gòu)造用于沿著層延展獲取信號(hào)電壓的電極配置結(jié)構(gòu)(18)施加到所述鐵電層(10)上,其中指間距大于所述鐵電層(10)的厚度,
d.將磁致伸縮層(12)施加到所述基底(14)的第二平坦側(cè)上,
e.在溫度低于500℃時(shí)對(duì)所述磁致伸縮層(12)進(jìn)行磁極化,并且
f.在溫度處于所述鐵電層(10)的居里溫度之下時(shí)沿著層延展交替地對(duì)所述鐵電層(10)進(jìn)行電極化。
8.按照權(quán)利要求7所述的方法,其特征在于,所述磁致伸縮層(12)作為多層式層系統(tǒng)沉積在基底上。
9.按照權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于,所述磁致伸縮層(12)利用由反鐵磁的和鐵磁的材料構(gòu)成的彼此交替的層構(gòu)成并且在預(yù)先確定的磁場(chǎng)中經(jīng)受熱處理以構(gòu)成交換偏置。
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