[發明專利]用于制造發光二極管顯示器的方法和發光二極管顯示器

有效

• 申請號: 201380052303.1
• 申請日: 2013-09-30
• 公開（公告）號: CN104704634B
• 公開（公告）日: 2018-09-11
• 發明（設計）人: 諾溫·文馬爾姆;馬丁·曼德爾;亞歷山大·F·普福伊費爾;布麗塔·格厄特茨
• 申請（專利權）人: 歐司朗光電半導體有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L25/075
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 丁永凡;張春水

1.一種用于制造發光二極管顯示器(1)的方法，所述方法具有下述步驟：

A)提供具有襯底上側(20)的生長襯底(2)；

B)將至少一個緩沖層(3，4)間接地或者直接地施加到所述襯底上側(20)上；

C)在所述緩沖層(3，4)處或在所述緩沖層上產生多個分開的生長點(45)；

D)從所述生長點(45)起產生各個輻射活性的島(5)，其中所述島(5)分別包括具有至少一個有源區(55)的無機的半導體層序列(50)，并且在所述襯底上側(20)的俯視圖中觀察，所述島(5)的平均直徑在50nm和20μm之間，其中包括邊界值，其中所述島(5)的平均高度和平均直徑的長寬比大于1并且小于25；以及

E)將所述島(5)與晶體管(6)互聯以用于電控制所述島(5)，其中在所述生長襯底(2)中產生所述晶體管(6)，在所述生長襯底上外延地生長輻射活性的所述島(5)，使得在所述生長襯底(2)的俯視圖中來觀察，所述晶體管(6)和分別所屬的所述島(5)重疊。

2.根據權利要求1所述的方法，

所述方法的特征在于，

-在步驟D)之后用填料(8)完全地或者部分地填充相鄰的島(5)之間的區域，所述填料具有帶有發光材料的光學活性的材料，或

-在步驟E)中所述島(5)與所述晶體管(6)電互聯，使得所述晶體管(6)中的每一個恰好關聯有所述島(5)中的一個。

3.根據權利要求1所述的方法，

其中產生所述晶體管(6)至少部分地跟隨步驟D)之后。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的方法，

其中將緩沖層(4)作為二維的、非結構化的層施加，

其中在步驟D)之前將由電絕緣材料構成的具有多個開口的掩模層(7)沉積在所述緩沖層(4)上，并且所述掩模層(7)保留在制成的所述發光二極管顯示器(1)中并且所述島(5)突出于所述掩模層。

5.根據權利要求1至3中任一項所述的方法，

其中通過所述緩沖層(4)的結構化產生所述生長點(45)，其中所述結構化通過掩模技術并且通過部分的材料去除進行，并且

其中所述結構化在沉積所述掩模層(7)的步驟之前進行。

6.根據權利要求1至3中任一項所述的方法，

其中

-所述生長襯底(2)是硅襯底，

-將具有過渡金屬的或者稀土金屬的氧化物或者氮化物的第一緩沖層(3)直接施加在所述生長襯底(2)上，

-在步驟C)之前將與所述第一緩沖層不同的、基于GaN或者基于AlGaN的第二緩沖層(4)直接施加到所述第一緩沖層(3)上，以及

-所述島(5)和所述半導體層序列(50)基于AlInGaN。

7.根據權利要求2所述的方法，

其中所述填料(8)設立用于減小相鄰的島(5)之間的光學耦合。

8.根據權利要求7所述的方法，

其中所述填料(8)僅部分地填充相鄰的島(5)之間的所述區域并且殼狀地圍繞所述島(5)設置。

9.根據權利要求7所述的方法，

其中給所述填料(8 )添加散射顆粒。

10.根據權利要求1至3中任一項所述的方法，

其中在步驟E)中在所述生長襯底(2)中在所述生長襯底(2)的背離所述島(5)的一側上產生所述晶體管(6)。

11.根據權利要求10所述的方法，

其中所述緩沖層(4)在步驟E)中從所述生長襯底(2)的背離所述島(5)的一側起局部地露出并且設有金屬化部(64，66)。