[發明專利]磁記錄介質

有效

• 申請號: 201380051735.0
• 申請日: 2013-08-21
• 公開（公告）號: CN104685566B
• 公開（公告）日: 2017-11-28
• 發明（設計）人: 內田真治
• 申請（專利權）人: 富士電機株式會社
• 主分類號: G11B5/738
• 分類號: G11B5/738;G11B5/65
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司11322
• 代理人: 龍淳

技術領域

本發明涉及搭載于各種磁記錄裝置的磁記錄介質。

背景技術

作為實現高密度的磁記錄的技術，采用垂直磁記錄介質。垂直磁記錄介質至少包含非磁性基體、由硬質磁性材料形成的磁記錄層。垂直磁記錄介質也可以任意選擇性地包括：用于使磁頭產生的磁通集中于磁記錄層的軟磁性襯底層、用于使磁記錄層的硬質磁性材料向目的方向取向的基底層、保護磁記錄層的表面的保護層等。

作為上述的硬質磁性材料，提案有向CoCrPt、CoCrTa等磁性合金材料中添加SiO₂、TiO₂等非磁性體的粒狀磁性材料。例如，CoCrPt－SiO₂粒狀磁性材料的膜為了包圍CoCrPt的磁性晶粒的周圍而具有作為非磁性體的SiO₂偏析的結構。在此，各個CoCrPt磁性晶粒被非磁性體的SiO₂磁分離。

近年來，需要進一步提高垂直磁記錄介質的記錄密度。具體而言，要求可以進行1500kFCI(毎英寸磁化顛倒)以上的線記錄密度的記錄的垂直磁記錄介質。作為用于可以進行上述線記錄密度的裝置，正在研究粒狀磁性材料中的磁性晶粒的粒徑的縮小。但是，磁性晶粒的粒徑的縮小使記錄的磁化(記錄信號)的熱穩定性降低。為了補償該熱穩定性的降低，要求提高粒狀磁性材料中的磁性合金材料的結晶磁各向異性。

要求的具有較高的結晶磁各向異性的材料之一，有L1₀型有序合金。另一方面，磁記錄介質的非磁性基體為了滿足要求的強度、耐沖擊性等特性，而使用鋁或玻璃形成。在這種非磁性基體的表面上成膜L1₀型有序合金的膜的情況下，基底層是非常重要的。這是由于，為了實現較高的結晶磁各向異性，需要(001)取向L1₀型有序合金的結晶(將結晶的[001]軸設為與非磁性基體的主平面垂直)。

為了實現L1₀型有序合金的結晶希望的取向，通?？蓪⑾鄬τ贚1₀型有序合金具有適當的晶格失配(misfit)的MgO或SrTiO₃用作基底層。例如，日本特開2001－101645號公報公開了，在依次形成有由軟磁性材料構成的層、由非磁性材料構成的層、由L1₀型有序合金構成的信息記錄層的層結構中，使用MgO作為非磁性材料，由此提高由L1₀型有序合金構成的信息記錄層的結晶性、結晶取向性和磁特性(參照專利文獻1)。國際公開第2004/075178號公報還公開了一種磁記錄介質，其具有軟磁性襯底層、由磁性材料構成的第一取向控制層、非磁性的第二取向控制層和包含具有L1₀結構的晶粒的記錄磁性層的疊層結構(參照專利文獻2)。但是，這些公報中的L1₀型有序合金的薄膜(信息記錄層、記錄磁性層)不具有粒狀結構。因此，磁記錄信號的記錄密度(分辨率)只不過為220kFRPI(毎英寸磁通顛倒，參照專利文獻1)和400kFCI(參照專利文獻2)左右。

為了實現進一步提高記錄密度(分辨率)，研究一種L1₀型有序合金薄膜，其具有確保L1₀型有序合金薄膜的結晶性和結晶取向性，同時能夠縮小磁性晶粒的粒徑和提高磁性晶粒間的磁分離的粒狀結構。例如，日本特開2004－152471號公報公開了一種L1₀形有序合金薄膜(FePt－C)，其具有使用濺射法在氧化鎂(MgO)基板上形成的、由FePt磁性晶粒和C非磁性晶界構成的粒狀結構(參照專利文獻3)。另外，日本特開2008－091009號公報公開了，通過使用加熱至650℃以上的基板的濺射法可得到L1₀形有序合金(FePt等)的包含磁性晶粒的粒狀結構的薄膜(參照專利文獻4)。另外，日本特表2010－503139號公報公開了，在具有基板、底層、緩沖層和磁記錄層的結構的磁記錄介質中，底層相對于磁記錄層具有3～10％的晶格失配，且緩沖層具有(002)取向，由此，可以以低于400℃的溫度形成具有由L1₀形有序合金構成的磁性晶粒和由添加劑構成的非磁性晶界的粒狀結構的磁記錄層(參照專利文獻5)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2001－101645號公報

專利文獻2：國際公開第2004/075178號公報

專利文獻3：日本特開2004－152471號公報

專利文獻4：日本特開2008－091009號公報