[發(fā)明專利]α7煙堿乙酰膽堿受體調(diào)節(jié)劑及其用途-I在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201380051491.6 | 申請(qǐng)日: | 2013-08-01 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104884432A | 公開(公告)日: | 2015-09-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | A.哈維;T.艾弗里;D.保羅;J.里珀;B.哈夫;R.辛赫;L.謝菲爾;C.約瑟夫;C.莫里斯;B.吉思倫 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 默沙東公司 |
| 主分類號(hào): | C07C311/37 | 分類號(hào): | C07C311/37;C07D239/42;C07D239/47;C07D231/38;C07D277/42;C07D213/74;C07D241/20;C07D261/14;C07C311/08;C07D237/20;C07C311/48;C07C311/49;A61 |
| 代理公司: | 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 溫宏艷;萬雪松 |
| 地址: | 美國(guó)新*** | 國(guó)省代碼: | 美國(guó);US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 煙堿 乙酰膽堿 受體 調(diào)節(jié)劑 及其 用途 | ||
1.式(I)的化合物或其鹽:
其中
R1選自任選取代的芳基、任選取代的芐基、任選取代的雜芳基或任選取代的雜環(huán)基;
R2選自氫、C1-C4?烷基、F、Cl、CN、苯基或C1-C4?鹵代烷基;
R3選自氫、C1-C4?烷基、F、Cl、CN或C1-C4?鹵代烷基;或
R2和R3一起形成C4-C9?環(huán)烷基或C4-C9?環(huán)烯基;
R4選自任選取代的雜芳基、任選取代的雜環(huán)基或任選取代的芳基;
R5選自氫或C1-C4?烷基;
R6-R8獨(dú)立地選自鹵素或氫;且
n是1-3,
其中當(dāng)R2和R3是氫且n是1時(shí),R1不是(1)?苯基或被環(huán)己基、雜環(huán)基、F或OCH3取代的苯基;或(2)?任選取代的雜芳基。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的化合物或其鹽,其中?R1選自任選取代的芳基、任選取代的雜芳基或任選取代的雜環(huán)基。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2的化合物或其鹽,其中?R1是任選取代的芳基,優(yōu)選地任選取代的苯基。
4.式(Ia)代表的根據(jù)權(quán)利要求1的化合物或其鹽:
其中
R1a選自任選取代的低級(jí)烷基、任選取代的芳基、任選取代的芳基氧基、任選取代的雜芳基、任選取代的雜環(huán)基、-P=O(OH)(NH2)、-C(O)NR'R'、?-NR'S(O)2NR'R'、-NR'-S(O)2R'、-NR'C(O)R'、-S(O)2-NR'R'和-NR'R'?(其中每個(gè)R'獨(dú)立地選自氫、低級(jí)烷基、C3-C7?環(huán)烷基、雜環(huán)基、雜芳基、-OH或NH2)、-S(O)R?(其中R是低級(jí)烷基或環(huán)烷基)和-S(O)2R'''?(其中R'''是低級(jí)烷基或環(huán)烷基);
每個(gè)R1b獨(dú)立地選自氰基、鹵素、硝基、任選取代的低級(jí)烷基、任選取代的芳基、任選取代的芳基氧基、任選取代的芳基烷基、任選取代的雜芳基、任選取代的雜環(huán)基、任選取代的C3-7?環(huán)烷基、-P=O(OH)(NH2)、-OR、-C(O)R、-C(O)OR、-OC(O)R?(其中R選自氫、任選取代的烷基、任選取代的烯基、任選取代的炔基、任選取代的C3-7?環(huán)烷基、任選取代的雜環(huán)基、任選取代的雜芳基和任選取代的芳基)、-C(O)NR'R''、-NR'C(O)R''、-S(O)2-NR'R''和-NR'R''?(其中R'和R''獨(dú)立地選自氫或低級(jí)烷基)、-S(O)R'?(其中R'是低級(jí)烷基或環(huán)烷基)、-S(O)2R'''?(其中R'''是低級(jí)烷基、環(huán)烷基或OH),或任何兩個(gè)相鄰的R1b或R1a和R1b一起形成雜環(huán)基或雜芳基;
z是0?-?4;
R2選自氫、C1-C4?烷基、F、Cl、CN、苯基或C1-C4?鹵代烷基;
R3選自氫、C1-C4?烷基、F、Cl、CN或C1-C4?鹵代烷基;或
R2和R3一起形成C4-C9?環(huán)烷基或C4-C9?環(huán)烯基;
R4選自任選取代的雜芳基、任選取代的雜環(huán)基或任選取代的芳基;
R5選自氫或C1-C4?烷基;
R6-R8獨(dú)立地選自鹵素或氫;且
n是1-3。
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