[發明專利]用于快速熱處理的最小接觸邊緣環有效
| 申請號: | 201380051474.2 | 申請日: | 2013-09-16 |
| 公開(公告)號: | CN104704626B | 公開(公告)日: | 2017-12-05 |
| 發明(設計)人: | 潘恒;賽拉朱·泰拉瓦爾尤拉;凱文·J·鮑蒂斯塔;杰弗里·托賓 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/324 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金國,趙靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 快速 熱處理 最小 接觸 邊緣 | ||
1.一種基板支撐環,所述支撐環包含:
環形主體;
邊緣唇,所述邊緣唇從所述環形主體的表面徑向向內延伸,其中所述邊緣唇具有沿所述基板支撐環的圓周變化的徑向寬度;以及
基板支撐件,所述基板支撐件從所述邊緣唇的頂表面向上延伸,其中所述基板支撐件為沿所述邊緣唇的圓周設置的連續環形體,并且所述基板支撐件包含基板接觸表面,所述基板接觸表面具有5μm至200μm的徑向寬度。
2.如權利要求1所述的支撐環,其中所述基板支撐件具有0.5mm至3mm的高度。
3.如權利要求1所述的支撐環,其中所述基板接觸表面具有選自由半球形、菱形及三角形組成的群組的形狀。
4.一種基板支撐環,所述支撐環包含:
內環;
外環,所述外環通過平面部分連接至所述內環的外部周邊;
邊緣唇,所述邊緣唇從所述內環的內部周邊徑向向內延伸以形成支撐凸部,其中所述邊緣唇具有沿所述基板支撐環的圓周變化的徑向寬度;以及
基板支撐件,所述基板支撐件從所述支撐凸部的頂表面向上延伸,其中所述基板支撐件為繞所述支撐凸部的圓周設置的連續環形體,并且所述基板支撐件由碳化硅或碳化硅合金制成,且所述基板支撐件涂覆有二氧化硅層,且所述基板支撐件包含基板接觸表面,所述基板接觸表面具有5μm至200μm的徑向寬度。
5.如權利要求4所述的支撐環,其中所述平面部分從所述外環的內部周邊徑向延伸至所述內環的所述外部周邊。
6.如權利要求4所述的支撐環,其中所述基板接觸表面具有選自由半球形、菱形及三角形組成的群組的形狀。
7.如權利要求4所述的支撐環,其中所述基板接觸表面具有半球形形狀。
8.如權利要求4所述的支撐環,其中所述基板支撐件具有0.5mm至3mm的高度。
9.如權利要求4所述的支撐環,其中所述內環具有0mm至3mm的高度。
10.一種在熱處理腔室中處理基板的方法,所述方法包含以下步驟:
提供基板支撐環,所述基板支撐環具有環形主體及從所述環形主體的表面徑向向內延伸的邊緣唇,其中所述邊緣唇具有沿所述基板支撐環的圓周變化的徑向寬度;以及
通過繞所述邊緣唇的圓周設置的基板支撐件在基板的周邊邊緣附近支撐所述基板的背表面,其中所述基板支撐件是從所述邊緣唇的頂表面向上延伸的連續環形體且所述基板支撐件通過與所述基板的所述背表面的5μm與200μm之間的線接觸來支撐所述基板。
11.如權利要求10所述的方法,其中所述邊緣唇在所述基板的所述背表面下方延伸0.5mm至5.0mm的距離,所述距離從所述環形主體的表面測量。
12.如權利要求10所述的方法,其中所述基板支撐件具有0.5mm至3mm的高度。
13.如權利要求10所述的方法,其中所述基板支撐件包含頂表面,所述頂表面具有選自由半球形、菱形及三角形組成的群組的形狀。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





