[發(fā)明專利]半導體裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380051313.3
• 申請日: 2013-09-19
• 公開（公告）號: CN104685635B
• 公開（公告）日: 2017-05-17
• 發(fā)明（設計）人: 美崎克紀
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;G02F1/1368;H01L21/28;H01L21/336
• 代理公司: 北京尚誠知識產(chǎn)權代理有限公司11322
• 代理人: 龍淳

1.一種半導體裝置，其特征在于：

包括基板和由所述基板支承的薄膜晶體管，

所述薄膜晶體管包括：氧化物半導體層；柵極電極；在所述柵極電極與所述氧化物半導體層之間形成的柵極絕緣層；和與所述氧化物半導體層接觸的源極電極和漏極電極，

所述源極電極和所述漏極電極分別具有：

包含第一金屬的主層；

下層，其配置在所述主層的所述基板側(cè)，從所述主層側(cè)起依次包括由第二金屬的氮化物構成的下部金屬氮化物層和由所述第二金屬構成的下部金屬層；和

上層，其配置在所述主層的與所述基板相反的一側(cè)，從所述主層側(cè)起依次包括由所述第二金屬的氮化物構成的上部金屬氮化物層和由所述第二金屬構成的上部金屬層，

所述第一金屬是鋁或銅，所述第二金屬是鈦或鉬，

所述源極電極和所述漏極電極的所述上層或所述下層還包括以與所述氧化物半導體層接觸的方式配置的、由所述第二金屬的氮化物構成的另一金屬氮化物層。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：

所述下部金屬氮化物層與所述主層的下表面接觸，所述上部金屬氮化物層與所述主層的上表面接觸。

3.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：

還具有覆蓋所述氧化物半導體層的溝道區(qū)域的蝕刻阻擋層。

4.如權利要求1～3中任一項所述的半導體裝置，其特征在于：

所述氧化物半導體層是包含In-Ga-Zn-O類氧化物的層。

5.如權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于：

所述氧化物半導體層是包含結晶In-Ga-Zn-O類氧化物的層。

6.一種半導體裝置，其特征在于：

包括基板和由所述基板支承的薄膜晶體管，

所述薄膜晶體管包括：氧化物半導體層；柵極電極；在所述柵極電極與所述氧化物半導體層之間形成的柵極絕緣層；和與所述氧化物半導體層接觸的源極電極和漏極電極，

所述源極電極和所述漏極電極分別具有：

包含第一金屬的主層；

下層，其配置在所述主層的所述基板側(cè)，從所述主層側(cè)起依次包括由第二金屬的氮化物構成的下部金屬氮化物層和由所述第二金屬構成的下部金屬層；和

上層，其配置在所述主層的與所述基板相反的一側(cè)，從所述主層側(cè)起依次包括由所述第二金屬的氮化物構成的上部金屬氮化物層和由所述第二金屬構成的上部金屬層，

所述第一金屬是鋁或銅，所述第二金屬是鈦或鉬，

還包括覆蓋所述薄膜晶體管的第一保護層，所述第一保護層為氧化硅膜，

所述源極電極和所述漏極電極的所述上層還包括配置在所述上部金屬層與所述第一保護層之間的、由所述第二金屬的氮化物構成的另一金屬氮化物層，

所述另一金屬氮化物層與所述第一保護層接觸。

7.如權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于：

所述下部金屬氮化物層與所述主層的下表面接觸，所述上部金屬氮化物層與所述主層的上表面接觸。

8.如權利要求6中任一項所述的半導體裝置，其特征在于：

還具有覆蓋所述氧化物半導體層的溝道區(qū)域的蝕刻阻擋層。

9.如權利要求6～8中任一項所述的半導體裝置，其特征在于：

所述氧化物半導體層是包含In-Ga-Zn-O類氧化物的層。

10.如權利要求9所述的半導體裝置，其特征在于：

所述氧化物半導體層是包含結晶In-Ga-Zn-O類氧化物的層。