[發明專利]光伏裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201380051189.0
• 申請日: 2013-09-24
• 公開（公告）號: CN104685641A
• 公開（公告）日: 2015-06-03
• 發明（設計）人: 增田泰造;奧村健一;近藤高志;松下智紀
• 申請（專利權）人: 豐田自動車株式會社;國立大學法人東京大學
• 主分類號: H01L31/06
• 分類號: H01L31/06
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 孫蕾

1.一種光伏裝置，具有：

光電變換層，包含化合物半導體；

半導體層，被層疊在上述光電變換層的表面；

接觸層，被配置在上述半導體層的與上述光電變換層相反的一側；以及

電極，被層疊在上述接觸層的表面，

上述半導體層包含第一晶體，該第一晶體包含Al、In和P，

上述接觸層包含第二晶體，該第二晶體以Ge為主要成分。

2.根據權利要求1所述的光伏裝置，其特征在于，

上述半導體層與上述接觸層接觸。

3.根據權利要求1或2所述的光伏裝置，其特征在于，

上述半導體層的上述第一晶體的晶格常數為0.567nm以上且0.573nm以下。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的光伏裝置，其特征在于，

上述半導體層的上述第一晶體是AlInP晶體。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的光伏裝置，其特征在于，

上述化合物半導體是III-V族化合物半導體。

6.一種光伏裝置的制造方法，具有：

第一氣相生長工序，在基板上氣相生長包含化合物半導體的光電變換層；

第二氣相生長工序，在所形成的上述光電變換層的表面氣相生長具有包含Al、In和P的第一晶體的半導體層；

第三氣相生長工序，在所形成的上述半導體層的上表面側氣相生長具有以Ge為主要成分的第二晶體的接觸層；以及

電極形成工序，在所形成的上述接觸層的表面形成電極。

7.根據權利要求6所述的光伏裝置的制造方法，其特征在于，

上述第三氣相生長工序是在所形成的上述半導體層的表面氣相生長具有以Ge為主要成分的第二晶體的接觸層的工序。

8.根據權利要求6或7所述的光伏裝置的制造方法，其特征在于，

上述第三氣相生長工序是在上述基板的溫度為200℃以上的狀態下，通過分子束外延法氣相生長上述接觸層的工序。

9.根據權利要求6或7所述的光伏裝置的制造方法，其特征在于，

上述第三氣相生長工序是在上述基板的溫度為200℃以上且400℃以下的狀態下，通過分子束外延法氣相生長上述接觸層的工序。

10.根據權利要求6至9中任一項所述的光伏裝置的制造方法，其特征在于，

上述第三氣相生長工序是在分子束密度為7.0×10^-6Pa以下的狀態下通過分子束外延法氣相生長上述接觸層的工序。

11.根據權利要求6至10中任一項所述的光伏裝置的制造方法，其特征在于，

在上述電極形成工序之后具有去除工序，該去除工序是殘留存在于所形成的上述電極與上述半導體層之間的上述接觸層、并且使用堿溶液去除存在于所形成的上述電極的周圍的多余的上述接觸層的工序。

12.根據權利要求6至11中任一項所述的光伏裝置的制造方法，其特征在于，

上述電極形成工序具有：

對所形成的上述接觸層的表面形成與所要形成的上述電極的形狀對應的抗蝕劑掩模的步驟；

至少對上述接觸層的表面層疊上述電極的步驟；以及

去除存在于與上述接觸層接觸的上述電極的周圍的上述抗蝕劑掩模的步驟。