[發明專利]光電二極管陣列

在審

• 申請號: 201380050908.7
• 申請日: 2013-11-26
• 公開（公告）號: CN104685631A
• 公開（公告）日: 2015-06-03
• 發明（設計）人: 山中辰己;坂本明;細川暢郎
• 申請（專利權）人: 浜松光子學株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L27/14;H01L27/144;H01L31/10
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 楊琦;黃賢炬

1.一種光電二極管陣列，其特征在于，

是具備形成在半導體基板的多個光電二極管的光電二極管陣列，

所述光電二極管的各個具有：

第1導電型的第1半導體區域，其設置在所述半導體基板；

第2導電型的第2半導體區域，其以圍繞規定區域的方式相對于所述第1半導體區域設置在所述半導體基板的一個面側，并與所述第1半導體區域一起構成光檢測區域；以及

貫通電極，其設置在以通過所述第1半導體區域和所述規定區域的方式貫通所述一個面與所述半導體基板的另一個面之間的貫通孔內，并與所述第2半導體區域電連接，

所述貫通孔包含從所述一個面朝向所述另一個面擴展的部分。

2.如權利要求1所述的光電二極管陣列，其特征在于，

在所述規定區域，存在所述貫通孔通過并具有比所述第1半導體區域雜質濃度高的雜質濃度的所述第1導電型的第3半導體區域，

所述第2半導體區域與所述第3半導體區域隔開，

在所述第2半導體區域與所述第3半導體區域之間，以圍繞所述第3半導體區域的方式存在所述第1半導體區域的一部分。

3.如權利要求2所述的光電二極管陣列，其特征在于，

所述第3半導體區域的內緣與外緣的間隔大于所述第3半導體區域的外緣與所述第2半導體區域的內緣的間隔。

4.如權利要求1～3中的任一項所述的光電二極管陣列，其特征在于，

所述第2半導體區域的內緣在從所述半導體基板的厚度方向看的情況下，圍繞所述另一個面側的所述貫通孔的開口。

5.如權利要求1～4中的任一項所述的光電二極管陣列，其特征在于，

所述光電二極管的各個包含形成在所述一個面上并使所述第2半導體區域與所述貫通電極電連接的接觸電極，

所述接觸電極的外緣在從所述半導體基板的厚度方向看的情況下，圍繞所述另一個面側的所述貫通孔的開口。

6.如權利要求1～5中的任一項所述的光電二極管陣列，其特征在于，

所述一個面側的所述貫通孔的開口呈圓形狀。