[發明專利]用單個多晶硅層形成浮動柵極存儲單元的半導體存儲陣列的自對準方法

有效

• 申請號: 201380050874.1
• 申請日: 2013-07-31
• 公開（公告）號: CN104662647B
• 公開（公告）日: 2017-10-13
• 發明（設計）人: N.杜;V.蒂瓦里;H.V.特蘭;X.劉
• 申請（專利權）人: 硅存儲技術公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 趙華偉,肖日松

1.一種形成半導體存儲單元的方法，包括：

在襯底上形成第一絕緣材料層；

在所述第一絕緣材料層上形成導電材料層；

在所述導電材料層上形成第二絕緣材料層；

在所述第二絕緣材料層中形成向下延伸到所述導電材料層且暴露所述導電材料層的第一溝槽；

在所述第一溝槽中形成間隔物，所述間隔物是通過在所述第一溝槽的底部的間隙來隔開的，所述間隙暴露所述導電材料層的一部分；

借由通過所述間隙執行各向異性蝕刻而形成通過所述導電材料層的第二溝槽；

在形成所述第二溝槽之后，完全地移除所述第二絕緣材料層及所述間隔物；

在完全地移除所述第二絕緣材料層及所述間隔物之后，以留下所述導電材料層的第一區塊及第二區塊的方式選擇性地移除所述導電材料層的多個部分，所述第一區塊及所述第二區塊是通過所述第二溝槽彼此隔開的；

用絕緣材料填充所述第二溝槽；

在選擇性地移除所述導電材料層的多個部分之后，在所述襯底中形成間隔開的第一區域及第二區域，在所述第一區域及所述第二區域之間于所述襯底中有通道區域，其中，所述第一區域及所述第二區域具有第一導電類型且所述通道區域具有不同于所述第一導電類型的第二導電類型，且其中，所述通道區域包括在所述第一區塊下的第一部分及在所述第二區塊下的第二部分；

其中，所述第二區塊的橫向邊緣對準所述第一區域的橫向邊緣，并且所述第一區塊的橫向邊緣對準所述第二區域的橫向邊緣。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括：

通過在所述襯底中注入第一導電類型材料而在所述襯底中形成阱區域，其中，所述第一區域形成于所述阱區域中。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，所述第二區塊的一部分安置于所述阱區域之上。

4.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在所述襯底中注入材料以在所述通道區域之下于所述襯底中形成阱區域。

5.根據權利要求1所述的方法，還包括：

形成橫向鄰接所述第一區塊的絕緣材料間隔物；

形成橫向鄰接所述第二區塊的絕緣材料間隔物。