[發明專利]高電子密度的導電性鈣鋁石化合物的制造方法有效
| 申請號： | 201380050813.5 | 申請日： | 2013-09-25 |
| 公開（公告）號： | CN104684868B | 公開（公告）日： | 2017-07-07 |
| 發明（設計）人： | 伊藤和弘;渡邊曉;渡邊俊成;宮川直通 | 申請（專利權）人： | 旭硝子株式會社 |
| 主分類號： | H01B13/00 | 分類號： | H01B13/00;C04B35/44;C01F7/00;C01F7/16 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司31100 | 代理人： | 胡燁,金明花 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電子密度 導電性 石化 制造 方法 | ||
1.一種導電性鈣鋁石化合物的制造方法，其特征在于，包括
(1)準備含有鈣鋁石化合物的被處理體的工序，所述被處理體含有氟(F)成分，和
(2)將所述被處理體在一氧化碳氣體以及由鋁源供給的鋁蒸汽的存在下以不接觸所述鋁源的狀態進行配置，在還原性氣氛下將所述被處理體保持在1080℃～1450℃的溫度范圍的工序。
2.如權利要求1所述的導電性鈣鋁石化合物的制造方法，其特征在于，在所述被處理體以及所述鋁源被放入含碳容器中的狀態下進行所述(2)工序。
3.如權利要求1或2所述的導電性鈣鋁石化合物的制造方法，其特征在于，所述含有鈣鋁石化合物的被處理體是含有含氟(F)成分的鈣鋁石化合物粉末的成形體，或者含有含氟(F)成分的鈣鋁石化合物的燒結體。
4.如權利要求1或2所述的導電性鈣鋁石化合物的制造方法，其特征在于，在所述(2)工序后制造導入了氟離子的鈣鋁石化合物。
5.如權利要求1或2所述的導電性鈣鋁石化合物的制造方法，其特征在于，所述(2)工序在100Pa以下的減壓環境、或者氮以外的惰性氣體氣氛下進行。
6.如權利要求1或2所述的導電性鈣鋁石化合物的制造方法，其特征在于，得到電子密度為3×1020cm-3以上的導電性鈣鋁石化合物。
7.一種制造含有導電性鈣鋁石化合物的成膜用的靶材的方法，其特征在于，使用權利要求1～6中任一項所述的導電性鈣鋁石化合物的制造方法。
8.一種制造含有導電性鈣鋁石化合物的成膜用的靶材的方法，其特征在于，使用下述導電性鈣鋁石化合物的制造方法，包括
準備含有鈣鋁石化合物的被處理體的工序，和
將所述被處理體在一氧化碳氣體以及由鋁源供給的鋁蒸汽的存在下以不接觸所述鋁源的狀態進行配置，在還原性氣氛下將所述被處理體在保持不接觸所述鋁源的狀態下保持在1080℃～1450℃的溫度范圍的工序。
9.如權利要求8所述的制造成膜用的靶材的方法，其特征在于，所述含有鈣鋁石化合物的被處理體是含有鈣鋁石化合物的燒結體。
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