[發明專利]具有用于金屬絲鍵合的傾斜金屬端子的引線框架

無效

• 申請號: 201380050180.8
• 申請日: 2013-09-27
• 公開（公告）號: CN104662648A
• 公開（公告）日: 2015-05-27
• 發明（設計）人: K·哈亞塔;M·勾圖;S·優杰
• 申請（專利權）人: 德克薩斯儀器股份有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L23/48
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 趙蓉民

1.一種裝配半導體器件的方法，其包括：

將溶劑中包括金屬顆粒的金屬糊料分配到包括基體金屬的引線框架的多個金屬端子的鍵合區域上，所述引線框架具有中心管芯焊盤，其中所述分配在所述鍵合區域上方提供變化的分配厚度；

蒸發所述溶劑以形成傾斜金屬涂層，所述傾斜金屬涂層包括第一傾斜頂面和相對于所述第一傾斜頂面成角度的第二傾斜頂面；

所述第一傾斜頂面與所述第二傾斜頂面相比更靠近所述管芯焊盤，

所述第二傾斜頂面隨著減小到所述管芯焊盤的距離而增加涂層厚度，并且所述第一傾斜頂面隨著減小到所述管芯焊盤的距離而減小涂層厚度；

將包括頂側有源表面上的多個鍵合焊盤的半導體管芯的底側附連到所述管芯焊盤，以及

將多個鍵合金屬絲連接在所述多個鍵合焊盤和所述第二傾斜頂面中的相應頂面之間。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述第二傾斜頂面與所述第一傾斜頂面相比具有更大的面積。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述多個鍵合金屬絲被直接連接到所述第二傾斜頂面中的相應頂面。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述傾斜金屬涂層包括銀、銅、鋁或金或其合金。

5.根據權利要求1所述的引線框架，其中所述傾斜金屬涂層兩端的厚度差為2μm至8μm。

6.根據權利要求1所述的引線框架，其中所述分配包括計算機控制的噴墨分配。

7.一種引線框架，其包括：

用于附連半導體管芯的管芯焊盤，所述半導體管芯包括頂側有源表面，該頂側有源表面上具有多個鍵合焊盤；

在所述管芯焊盤外的多個金屬端子，其中所述多個金屬端子包括基體金屬和在該基體金屬上的傾斜金屬涂層，

其中所述傾斜金屬涂層包括：

第一傾斜頂面和相對于所述第一傾斜頂面成角度的第二傾斜頂面；

所述第一傾斜頂面與所述第二傾斜頂面相比更靠近所述管芯焊盤，

所述第二傾斜頂面隨著減小到所述管芯焊盤的距離而增加涂層厚度，并且所述第一傾斜頂面隨著減小到所述管芯焊盤的距離而減小涂層厚度。

8.根據權利要求7所述的引線框架，其中所述第二傾斜頂面具有比所述第一傾斜頂面的面積更大的面積。

9.根據權利要求7所述的引線框架，其中所述傾斜金屬涂層包括銀、銅、鋁或金或其合金。

10.根據權利要求7所述的引線框架，其中所述傾斜金屬涂層兩端的厚度差為2μm至8μm。

11.一種半導體器件裝配件，其包括：

管芯焊盤，在其上附連包括頂側有源表面的半導體管芯，所述頂側有源表面上具有多個鍵合焊盤；

在所述管芯焊盤外的多個金屬端子，其中所述多個金屬端子包括基體金屬和在該基體金屬上的傾斜金屬涂層，

其中所述傾斜金屬涂層包括：

第一傾斜頂面和相對于所述第一傾斜頂面成角度的第二傾斜頂面；

所述第一傾斜頂面與所述第二傾斜頂面相比更靠近所述管芯焊盤，

所述第二傾斜頂面隨著減小到所述管芯焊盤的距離而增加涂層厚度，并且所述第一傾斜頂面隨著減小到所述管芯焊盤的距離而減小涂層厚度；以及

鍵合金屬絲，其連接在所述多個鍵合焊盤之間，并且直接連接到所述第二傾斜頂面中的相應頂面。

12.根據權利要求11所述的半導體器件裝配件，其中所述第二傾斜頂面具有比所述第一傾斜頂面的面積更大的面積。

13.根據權利要求11所述的半導體器件裝配件，其中所述傾斜金屬涂層包括銀、銅、鋁或金或其合金。

14.根據權利要求11所述的半導體器件裝配件，其中所述傾斜金屬涂層兩端的厚度差為2μm至8μm。

15.根據權利要求11所述的半導體器件裝配件，其中所述鍵合金屬絲直接連接到所述第二傾斜頂面中的相應頂面。