[發(fā)明專利]在由晶體材料制成的物體上產(chǎn)生原子上尖銳的刃口的方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201380049740.8
• 申請(qǐng)日: 2013-09-24
• 公開（公告）號(hào): CN104768721A
• 公開（公告）日: 2015-07-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: S.B法塔克;F.A.納布爾西
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 盧比肯科技公司
• 主分類號(hào): B28D5/04
• 分類號(hào): B28D5/04;B26D3/00;C03B33/02
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 嚴(yán)志軍;董均華

1.?一種用于生產(chǎn)切削裝置的過程，包括以下步驟：

確定晶體材料內(nèi)的優(yōu)選平面；

蝕刻所述晶體材料的至少一個(gè)未保護(hù)部分來沿所述優(yōu)選平面在所述晶體材料中生產(chǎn)至少一個(gè)小平面；以及

關(guān)于所述至少一個(gè)小平面的端部使定向的所述晶體材料解理來產(chǎn)生切削裝置。

2.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的過程，其特征在于，所述確定優(yōu)選平面包括使用x射線來確定所述優(yōu)選平面。

3.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的過程，其特征在于，所述過程還包括以下步驟：

關(guān)于所述確定的優(yōu)選平面將光阻層施加于所述晶體材料的至少一個(gè)表面，產(chǎn)生所述晶體材料的至少一個(gè)表面的至少一個(gè)受保護(hù)部分和所述至少一個(gè)未受保護(hù)部分。

4.?根據(jù)權(quán)利要求3所述的過程，其特征在于，所述至少一個(gè)表面為包括第一表面和第二表面的多個(gè)表面，并且施加于所述晶體材料的第一表面的所述光阻層與施加于所述第二表面的光阻層對(duì)準(zhǔn)，以在各側(cè)的所述表面上產(chǎn)生受保護(hù)的部分，并且在所述第一表面上產(chǎn)生所述未受保護(hù)的部分，并且在所述第二表面上產(chǎn)生未受保護(hù)的部分，以使各個(gè)表面上的所述未受保護(hù)的部分對(duì)準(zhǔn)。

5.?根據(jù)權(quán)利要求3所述的過程，其特征在于，所述蝕刻包括利用蝕刻浴來蝕刻所述晶體材料，其中所述光阻層施加于所述晶體材料的產(chǎn)生的一個(gè)或更多個(gè)受保護(hù)的部分，以防止所述一個(gè)或更多個(gè)受保護(hù)的部分的蝕刻，其中所述晶體材料的至少一個(gè)未受保護(hù)的部分未由所述光阻層覆蓋來容許蝕刻。

6.?根據(jù)權(quán)利要求3所述的過程，其特征在于，所述過程還包括確定是否達(dá)到端點(diǎn)，以及在達(dá)到所述端點(diǎn)時(shí)停止所述蝕刻。

7.?根據(jù)權(quán)利要求6所述的過程，其特征在于，確定是否達(dá)到端點(diǎn)包括確定以下中的至少一個(gè)：達(dá)到的V形或U形槽的頂點(diǎn)的深度、達(dá)到的所述V形或U形槽的所述頂點(diǎn)處的厚度，以及所述蝕刻發(fā)生的預(yù)定持續(xù)時(shí)間。

8.?根據(jù)權(quán)利要求7所述的過程，其特征在于，確定是否達(dá)到端點(diǎn)確定了所述頂點(diǎn)處的厚度小于大約30微米。

9.?根據(jù)權(quán)利要求7所述的過程，其特征在于，確定是否達(dá)到端點(diǎn)確定了所述頂點(diǎn)處的厚度小于大約15微米。

10.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的過程，其特征在于，所述晶體材料為選自包括以下的組的單晶材料：藍(lán)寶石、金剛砂和硅。

11.?根據(jù)權(quán)利要求10所述的過程，其特征在于，所述晶體材料為晶片形狀。

12.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的過程，其特征在于，所述蝕刻包括利用蝕刻溶液來蝕刻所述晶體材料。

13.?一種由權(quán)利要求1的過程生產(chǎn)的切削裝置。

14.?一種用于生產(chǎn)切削裝置的過程，包括以下步驟：

將光阻層施加于單晶材料的至少一個(gè)表面；

蝕刻所述單晶材料來生產(chǎn)至少一個(gè)小平面；以及

使所述單晶材料沿所述生產(chǎn)的至少一個(gè)小平面的刃口解理來產(chǎn)生尖銳的切削裝置。

15.?根據(jù)權(quán)利要求14所述的過程，其特征在于，所述過程還包括確定晶體材料內(nèi)的優(yōu)選平面的步驟，其中所述施加步驟關(guān)于所述優(yōu)選平面的定向施加所述光阻層。

16.?根據(jù)權(quán)利要求14所述的過程，其特征在于，所述蝕刻生產(chǎn)多個(gè)小平面。

17.?根據(jù)權(quán)利要求14所述的過程，其特征在于，所述至少一個(gè)表面為包括第一表面和第二表面的多個(gè)表面，并且所述蝕刻步驟蝕刻所述第一表面和所述第二表面來生產(chǎn)多個(gè)小平面。

18.?根據(jù)權(quán)利要求17所述的過程，其特征在于，所述多個(gè)小平面形成所述晶體材料的第一側(cè)上的至少一個(gè)槽，并且形成所述晶體材料的第二側(cè)上的至少一個(gè)槽。

19.?根據(jù)權(quán)利要求18所述的過程，其特征在于，由所述多個(gè)小平面形成在各側(cè)上的頂點(diǎn)相對(duì)于所述晶體材料內(nèi)的確定優(yōu)選平面對(duì)準(zhǔn)。

20.?根據(jù)權(quán)利要求19所述的過程，其特征在于，所述解理步驟沿形成在各側(cè)上的所述頂點(diǎn)解理來生產(chǎn)尖銳的切削裝置。

21.?根據(jù)權(quán)利要求14所述的過程，其特征在于，所述過程還包括確定是否達(dá)到端點(diǎn)，以及在達(dá)到所述端點(diǎn)時(shí)停止所述蝕刻。