[發明專利]改質氫化聚硅氧氮烷、組合物及其制法、絕緣層及其制法有效
| 申請號： | 201380049625.0 | 申請日： | 2013-07-15 |
| 公開（公告）號： | CN104684968B | 公開（公告）日： | 2017-06-13 |
| 發明（設計）人： | 宋炫知;樸銀秀;林相學;郭澤秀;金古恩;金美英;金補宣;金奉煥;羅隆熙;裵鎮希;徐珍雨;尹熙燦;李漢松;田鐘大;韓權愚;洪承希;黃丙奎 | 申請（專利權）人： | 第一毛織株式會社 |
| 主分類號： | C08G77/38 | 分類號： | C08G77/38;C08G77/26;C08L83/08;H01B3/46 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司11205 | 代理人： | 陶敏,臧建明 |
| 地址： | 韓國慶尚*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氫化 聚硅氧氮烷 含有 用于 形成 氧化 為主 絕緣 組合 制備 方法 制造 | ||
1.一種改質氫化聚硅氧氮烷，其由以下方法制備：將氫化聚硅氧氮烷和硅烷化合物反應，其中所述硅烷化合物具有如下由化學式4所表示結構：
[化學式4]
其中，在上述化學式4，
R1和R2是各自獨立地選自H、SiH3、NH2、Cl、Br和I，
R3和R4是各自獨立地選自H、SiH3、NH2、Cl、Br和I，或彼此融合，以提供一個環，并且
a是1到30的整數，其中，所述改質氫化聚硅氧氮烷的氮原子和硅原子的原子數比小于或等于0.95。
2.根據權利要求1所述的改質氫化聚硅氧氮烷，其中所述改質氫化聚硅氧氮烷包括由以下化學式1至3表示的結構單元：
[化學式1]
[化學式2]
[化學式3]
其中，在上面的化學式1至3中，R1和R2各自獨立地選自H、SiH3及NH2，R3為H或SiH3。
3.根據權利要求1所述的改質氫化聚硅氧氮烷，其中，所述改質氫化聚硅氧氮烷具有占所述改質氫化聚硅氧氮烷總量0.2至3重量％的氧含量。
4.根據權利要求1所述的改質氫化聚硅氧氮烷，其中所述改質氫化聚硅氧氮烷的重量平均分子量為1000～30000。
5.一種以氧化硅為主的絕緣層形成用組合物，含有藉由氫化聚硅氧氮烷和硅烷化合物反應所制備的改質氫化聚硅氧氮烷，其中所述硅烷化合物具有如下由化學式4所表示結構：
[化學式4]
其中，在上述化學式4，
R1和R2是各自獨立地選自H、SiH3、NH2、Cl、Br和I，
R3和R4是各自獨立地選自H、SiH3、NH2、Cl、Br和I，或彼此融合，以提供一個環，并且
a是1到30的整數，其中，所述改質氫化聚硅氧氮烷的氮原子和硅原子的原子數比小于或等于0.95。
6.根據權利要求5所述的以氧化硅為主的絕緣層形成用組合物，其中，所述改質氫化聚硅氧氮烷包括由以下化學式1至3所表示的結構單元：
[化學式1]
[化學式2]
[化學式3]
其中，在上面的化學式1至3中，R1和R2各自獨立地選自H、SiH3及NH2，R 3為H或SiH3。
7.根據權利要求5所述的以氧化硅為主的絕緣層形成用組合物，其中，所述改質氫化聚硅氧氮烷具有占所述改質氫化聚硅氧氮烷總量0.2至3重量％的氧含量。
8.根據權利要求5所述的以氧化硅為主的絕緣層形成用組合物，其中，所述改質氫化聚硅氧氮烷的重量平均分子量為1000～30000。
9.根據權利要求5所述的以氧化硅為主的絕緣層形成用組合物，其中，基于所述以氧化硅為主的絕緣層形成用組合物的總量計，其包含所述改質氫化聚硅氧氮烷0.1至50重量％。
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