[發(fā)明專利]改質(zhì)氫化聚硅氧氮烷、組合物及其制法、絕緣層及其制法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380049625.0 | 申請日： | 2013-07-15 |
| 公開（公告）號： | CN104684968B | 公開（公告）日： | 2017-06-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 宋炫知;樸銀秀;林相學(xué);郭澤秀;金古恩;金美英;金補(bǔ)宣;金奉煥;羅隆熙;裵鎮(zhèn)希;徐珍雨;尹熙燦;李漢松;田鐘大;韓權(quán)愚;洪承希;黃丙奎 | 申請（專利權(quán)）人： | 第一毛織株式會社 |
| 主分類號： | C08G77/38 | 分類號： | C08G77/38;C08G77/26;C08L83/08;H01B3/46 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11205 | 代理人： | 陶敏,臧建明 |
| 地址： | 韓國慶尚*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 氫化 聚硅氧氮烷 含有 用于 形成 氧化 為主 絕緣 組合 制備 方法 制造 | ||
1.一種改質(zhì)氫化聚硅氧氮烷，其由以下方法制備：將氫化聚硅氧氮烷和硅烷化合物反應(yīng)，其中所述硅烷化合物具有如下由化學(xué)式4所表示結(jié)構(gòu)：
[化學(xué)式4]
其中，在上述化學(xué)式4，
R1和R2是各自獨(dú)立地選自H、SiH3、NH2、Cl、Br和I，
R3和R4是各自獨(dú)立地選自H、SiH3、NH2、Cl、Br和I，或彼此融合，以提供一個環(huán)，并且
a是1到30的整數(shù)，其中，所述改質(zhì)氫化聚硅氧氮烷的氮原子和硅原子的原子數(shù)比小于或等于0.95。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改質(zhì)氫化聚硅氧氮烷，其中所述改質(zhì)氫化聚硅氧氮烷包括由以下化學(xué)式1至3表示的結(jié)構(gòu)單元：
[化學(xué)式1]
[化學(xué)式2]
[化學(xué)式3]
其中，在上面的化學(xué)式1至3中，R1和R2各自獨(dú)立地選自H、SiH3及NH2，R3為H或SiH3。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改質(zhì)氫化聚硅氧氮烷，其中，所述改質(zhì)氫化聚硅氧氮烷具有占所述改質(zhì)氫化聚硅氧氮烷總量0.2至3重量％的氧含量。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改質(zhì)氫化聚硅氧氮烷，其中所述改質(zhì)氫化聚硅氧氮烷的重量平均分子量為1000～30000。
5.一種以氧化硅為主的絕緣層形成用組合物，含有藉由氫化聚硅氧氮烷和硅烷化合物反應(yīng)所制備的改質(zhì)氫化聚硅氧氮烷，其中所述硅烷化合物具有如下由化學(xué)式4所表示結(jié)構(gòu)：
[化學(xué)式4]
其中，在上述化學(xué)式4，
R1和R2是各自獨(dú)立地選自H、SiH3、NH2、Cl、Br和I，
R3和R4是各自獨(dú)立地選自H、SiH3、NH2、Cl、Br和I，或彼此融合，以提供一個環(huán)，并且
a是1到30的整數(shù)，其中，所述改質(zhì)氫化聚硅氧氮烷的氮原子和硅原子的原子數(shù)比小于或等于0.95。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的以氧化硅為主的絕緣層形成用組合物，其中，所述改質(zhì)氫化聚硅氧氮烷包括由以下化學(xué)式1至3所表示的結(jié)構(gòu)單元：
[化學(xué)式1]
[化學(xué)式2]
[化學(xué)式3]
其中，在上面的化學(xué)式1至3中，R1和R2各自獨(dú)立地選自H、SiH3及NH2，R 3為H或SiH3。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的以氧化硅為主的絕緣層形成用組合物，其中，所述改質(zhì)氫化聚硅氧氮烷具有占所述改質(zhì)氫化聚硅氧氮烷總量0.2至3重量％的氧含量。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的以氧化硅為主的絕緣層形成用組合物，其中，所述改質(zhì)氫化聚硅氧氮烷的重量平均分子量為1000～30000。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的以氧化硅為主的絕緣層形成用組合物，其中，基于所述以氧化硅為主的絕緣層形成用組合物的總量計(jì)，其包含所述改質(zhì)氫化聚硅氧氮烷0.1至50重量％。
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