[發(fā)明專利]光電子器件和用于制造光電子器件的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201380049613.8 | 申請(qǐng)日: | 2013-09-06 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104641478B | 公開(公告)日: | 2017-08-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | R.施特賴特爾;K.施密特克 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 奧斯蘭姆奧普托半導(dǎo)體有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | H01L33/64 | 分類號(hào): | H01L33/64;H01L23/373 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 盧江,劉春元 |
| 地址: | 德國雷*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光電子 器件 用于 制造 方法 | ||
1.光電子器件,包括:
-襯底(10),
-連接元件(20),所述連接元件被施加在所述襯底(10)上,
-層序列(30),所述層序列發(fā)射電磁輻射,其中
-所述層序列(30)被施加在所述連接元件(20)上,
-所述連接元件(20)具有至少一種連接材料,
-所述連接材料具有定向的分子排列(21),
-所述連接元件(20)被設(shè)立用于將所述襯底(10)連接到所述層序列(30)上,
-所述連接材料包括聚合物,
-所述連接材料的各個(gè)分子的分子縱軸的多于80%具有垂直于所述襯底的表面的定向,其中所述連接元件(20)被成型為粘貼薄膜并且所述連接材料具有預(yù)先定向的分子排列(25),使得通過所述連接材料的分子的預(yù)先定向來產(chǎn)生所述連接元件(20)內(nèi)的各向異性的導(dǎo)熱性,也即在垂直于所述襯底的表面的方向上的各向異性的導(dǎo)熱性。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電子器件,其中所述連接元件(20)是透明的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光電子器件,其中所述連接材料還包括石墨烯。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光電子器件,其中所述連接材料被成型為顆粒(23)并且被嵌入在基體材料中。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光電子器件,其中所述連接元件(20)被成型為層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光電子器件,其中所述連接材料的各個(gè)分子彼此間相互平行地設(shè)置。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光電子器件,其中所述連接材料的各個(gè)分子平行和/或垂直于所述襯底的朝向所述連接元件的表面來設(shè)置。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光電子器件,其中所述連接元件(20)被成型為薄膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光電子器件,其中所述連接材料是結(jié)晶的和/或無定形的。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光電子器件,其中所述連接元件(20)具有結(jié)晶的連接材料,并且其中所述連接元件具有大于或等于37W/mK的導(dǎo)熱性。
11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光電子器件,其中所述聚合物包括嵌段共聚物、接枝聚合物、樹突狀聚合物或其組合。
12.用于制造根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光電子器件的方法,其包括如下方法步驟:
A)提供襯底(10)
B)將所述連接元件(20)施加到所述襯底(10)上
-其中所述連接元件(20)具有至少一種連接材料,所述連接材料具有定向的分子排列(21),而且
-其中在方法步驟B之前產(chǎn)生所述連接材料的定向的分子排列,
-其中
所述連接元件(20)被設(shè)立用于將所述襯底(10)連接到所述層序列(30)上,
所述連接材料包括聚合物,
所述連接材料的各個(gè)分子的分子縱軸的多于80%具有垂直于所述襯底的表面的定向,其中所述連接元件(20)被成型為粘貼薄膜并且所述連接材料具有預(yù)先定向的分子排列(25),使得通過所述連接材料的分子的預(yù)先定向來產(chǎn)生所述連接元件(20)內(nèi)的各向異性的導(dǎo)熱性,也即在垂直于所述襯底的表面的方向上的各向異性的導(dǎo)熱性。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制造光電子器件的方法,其中所述連接材料的定向的分子排列(21)通過熱處理、施加電場和/或力作用來產(chǎn)生。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制造光電子器件的方法,其中所述方法步驟A附加地還包括方法步驟A':
A')加熱所述襯底(10),使得在所述方法步驟B中在將所述連接元件(20)施加到所述襯底(10)上期間產(chǎn)生所述連接材料的定向的分子排列(21)。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制造光電子器件的方法,其在所述方法步驟B之后包括附加的方法步驟C:
C)將層序列(30)施加到所述連接元件(20)上,使得在施加所述層序列(30)期間同時(shí)在所述連接元件(20)中產(chǎn)生所述連接材料的定向的分子排列(21)。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制造光電子器件的方法,其中力作用是用壓力處理。
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