[發明專利]光電轉換元件及其制造方法

有效

• 申請號: 201380049397.7
• 申請日: 2013-09-18
• 公開（公告）號: CN104662026B
• 公開（公告）日: 2017-08-25
• 發明（設計）人: 石川貴之;磯部和也
• 申請（專利權）人: 柯尼卡美能達株式會社
• 主分類號: C07D495/04
• 分類號: C07D495/04;C08G61/12;H01L31/04;C09B23/00;C09B57/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 苗堃,趙曦

1.一種光電轉換元件，其特征在于，具備基板、第一電極、含有半導體和增感色素的光電轉換層、具有導電性高分子的空穴輸送層、以及第二電極，

所述空穴輸送層是在氧化劑存在下將所述光電轉換層與導電性高分子前體進行接觸后，對所述增感色素照射光，將所述導電性高分子前體聚合而形成的，

其中，使所述導電性高分子前體和所述氧化劑以下述式(1)的比例接觸，

0.1＜[Ox]/[M] (1)

所述式(1)中，[Ox]為所述氧化劑的摩爾濃度；[M]為所述導電性高分子前體的摩爾濃度，

所述導電性高分子前體具有下述單體式1表示的重復單元，

(單體式1)

所述單體式1中，X表示S、NR、O，R為氫、烷基中的任一個，R₁～R₄各自獨立地為氫原子、鹵素原子、碳原子數1～30的直鏈或支鏈狀的烷基、碳原子數3～10的環烷基、碳原子數1～30的烷氧基、碳原子數2～30的聚環氧乙烷基、或者取代或無取代的碳原子數4～30的含環式化合物的基團。

2.根據權利要求1所述的光電轉換元件，其中，所述氧化劑是過氧化氫、氧氣、甲醇、金屬鹽或者有機過氧化物。

3.根據權利要求1或2所述的光電轉換元件，其中，所述氧化劑具有﹣0.5～﹢2.0(V)的標準電極電位E⁰_(OX)。

4.根據權利要求1或2所述的光電轉換元件，其中，所述氧化劑利用所述光照射而變成氣體化合物或者液體化合物。

5.根據權利要求1或2所述的光電轉換元件，其中，所述增感色素具有羧基。

6.根據權利要求1或2所述的光電轉換元件，其中，所述增感色素由通式(1)表示，

通式(1)：

所述通式(1)中，R₃各自獨立地表示氫原子、鹵素原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的炔基、取代或未取代的芳基、氨基、氰基、或者取代或未取代的雜環基，

Ar表示二價的環式化合物基團，

A₁和A₂各自獨立地表示單鍵、2價的飽和或不飽和的烴基、取代或未取代的亞烷基、亞芳基、或者2價的雜環基，

Z為具有酸性基團、烷氧基硅烷或者鹵代硅烷的有機基團，

p、q各自獨立地為0～6的整數，

n為1～3的整數，

n為1時，2個R₃可以相互不同，另外，R₃可以與其它的取代基連接而形成環結構，n為2以上時，多個Ar、A₁、A₂、Z可以相互不同。

7.根據權利要求6所述的光電轉換元件，其中，所述增感色素是所述通式(1)中n＝2的化合物。

8.根據權利要求1或2所述的光電轉換元件，其中，所述半導體為氧化鈦。

9.根據權利要求1或2所述的光電轉換元件，其中，所述光電轉換元件在1000nm的吸光度A₁₀₀₀滿足下述式(2)，

A₁₀₀₀≥FT_SC/8 (2)

所述式(2)中，A₁₀₀₀為光電轉換元件在1000nm的吸光度；

FT_SC為半導體層的膜厚，其單位是μm。