[發明專利]存儲單元、存儲裝置和磁頭

有效

• 申請號: 201380049226.4
• 申請日: 2013-08-22
• 公開（公告）號: CN104662654B
• 公開（公告）日: 2018-02-23
• 發明（設計）人: 內田裕行;細見政功;大森廣之;別所和宏;肥后豐;淺山徹哉;山根一陽
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L21/8246
• 分類號: H01L21/8246;G11B5/39;H01L27/105;H01L43/08;H01L43/10
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司11240
• 代理人: 田喜慶,吳孟秋

1.一種存儲單元，包括：

層狀結構，包括：

存儲層，其中，磁化方向與信息對應地變化，

磁化固定層，具有與膜表面垂直并且用作所述存儲層中存儲的信息的基準的磁化，

中間層，設置在所述存儲層與所述磁化固定層之間并且由非磁體制成，

第一碳膜，布置在所述存儲層與所述中間層之間的界面處，以及

第二碳膜，被插入所述中間層的內部中，

其中，通過沿所述層狀結構的層壓方向饋入電流使所述存儲層中的所述磁化方向改變，從而使信息記錄在所述存儲層中。

2.根據權利要求1所述的存儲單元，進一步包括：

第三碳膜，被布置在所述磁化固定層與所述中間層之間的界面處。

3.根據權利要求1或2所述的存儲單元，

其中，構成所述中間層的所述非磁體的材料是MgO。

4.根據權利要求3所述的存儲單元，

其中，構成所述存儲層的鐵磁材料是Co-Fe-B合金。

5.根據權利要求1所述的存儲單元，

其中，所述存儲單元由磁性隧道結元件配置。

6.一種存儲裝置，包括：

存儲單元，被配置為通過磁體的磁化狀態來保持信息；以及

彼此相交的兩種配線，

所述存儲單元包括：

層狀結構，包括：

存儲層，其中，磁化方向與信息對應地變化，

磁化固定層，具有與膜表面垂直并且用作所述存儲層中存儲的信息的基準的磁化，

中間層，設置在所述存儲層與所述磁化固定層之間并且由非磁體制成，

第一碳膜被布置在所述存儲層與所述中間層之間的界面處，以及

第二碳膜被插入所述中間層的內部中，

其中，通過沿所述層狀結構的層壓方向饋入電流使所述存儲層中的所述磁化方向改變，從而使信息記錄在所述存儲層中，

所述存儲單元布置在所述兩種配線之間，并且

通過所述兩種配線使沿所述層壓方向的電流流入所述存儲單元。

7.一種磁頭，包括存儲單元，

所述存儲單元包括：

層狀結構，包括：

存儲層，其中，磁化方向與信息對應地改變，

磁化固定層，具有與膜表面垂直并且用作所述存儲層中存儲的信息的基準的磁化，

中間層，設置在所述存儲層與所述磁化固定層之間并且由非磁體制成，

第一碳膜，布置在所述存儲層與所述中間層之間的界面處，以及

第二碳膜，被插入所述中間層的內部中。

8.一種存儲單元，包括：

層狀結構，包括：

存儲層，其中，磁化方向與信息對應地改變，

磁化固定層，具有與膜表面垂直并且用作所述存儲層中存儲的信息的基準的磁化，

中間層，設置在所述存儲層與所述磁化固定層之間并且由非磁體制成，

第一碳膜，布置在所述存儲層與所述中間層之間的界面處，以及

第二碳膜，被插入所述中間層的內部中。

9.根據權利要求8所述的存儲單元，進一步包括：

第三碳膜，被布置在所述磁化固定層與所述中間層之間的界面處。

10.根據權利要求8或9所述的存儲單元，

其中，構成所述中間層的所述非磁體的材料是MgO。

11.一種存儲裝置，在兩種配線之間設置有存儲單元，

所述存儲單元包括：

層狀結構，包括：

存儲層，其中，磁化方向與信息對應地改變，

磁化固定層，具有與膜表面垂直并且用作所述存儲層中存儲的信息的基準的磁化，

中間層，設置在所述存儲層與所述磁化固定層之間并且由非磁體制成，

第一碳膜，布置在所述存儲層與所述中間層之間的界面處，以及

第二碳膜，被插入所述中間層的內部中。